窒化物半導体エピタキシャルウエハ｜地球環境にやさしいGaNパワーデバイスの実現に貢献します。

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窒化物半導体エピタキシャルウエハ地球環境にやさしいGaNパワーデバイスの実現に貢献します。 GaN Epitaxial Wafer

窒化物半導体を用いたパワーデバイスは、これからの低炭素社会を支えるグリーンデバイスとして期待されています。
NTT-ATは窒化物半導体エピタキシャルウエハの製造技術により、省エネルギー化の早期実現に貢献します。

窒化ガリウム（GaN）に代表される窒化物半導体は、現在広く用いられているSiパワーデバイスの限界を超えた高出力、高耐圧、高周波、低損失の動作が可能なため、次世代パワーデバイスとして大きく期待されています。

パワーデバイスの開発に、こんな課題をお持ちではありませんか？

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使用する基板種が決まっていない、様々な基板種を試したい。

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少量多品種での試作をしつつ、将来の量産体制も確保したい。

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当然、大口径サイズも必要。

ＮＴＴ-ＡＴの窒化物半導体エピタキシャルウエハなら

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シリコン（Si）、サファイア（Al₂O₃）、シリコンカーバイト（SiC）、窒化ガリウム（GaN）基板上に結晶成長する技術を有しており、窒化物系に使われるすべての基板に対応できます。

複数の基板種を用いた開発検討を併行して進められます。
　　お客様の大切な時間を無駄にしません。

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少量の試作から承ります。

三菱化学株式会社との提携により、量産体制も整えております。
　　三菱化学への製造委託のニュースリリースはこちら

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大口径６インチシリコン基板にも対応しております。

また当社関連部門との連携によって、デバイス作製や材料分析も可能です。

適用例

携帯基地局用パワーデバイス

車載用パワーデバイス

家電用パワーデバイス

耐環境デバイス

AlGaN/GaN　HEMT構造エピ製品（一例）

Cap Layer	Material: GaN
	doped or un-doped
	Thickness: 0～5 nm
Barrier Layer	Material: AlGaN with or without AlN spacer
	doped or un-doped
	Al-content:10～50%
	Thickness: < ～50 nm
Buffer Layer	Material: (Al)GaN
Buffer Layer	Thickness: 1～3 μm
Substrate	Si	Sapphire	SiC	GaN
Substrate	2～6 inch	2～4 inch	2～4 inch	2 inch

カタログダウンロード

必要な資料をクリックしてダウンロードしてください。

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「６インチSi基板上AlGaN/GaN HEMTエピウエハ」カタログ　（PDFファイル：82KB）

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製品検査データ例　（PDFファイル：90KB）

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お問い合わせ先
NTTアドバンステクノロジ株式会社先端プロダクツ事業本部ナノテクビジネスユニット窒化物半導体エピタキシャルウエハ担当	〒243-0124 神奈川県厚木市森の里若宮3-1 ＮＴＴ厚木研究開発センタ内 TEL：046-250-3344　FAX： 046-270-2439

＊本ホームページに記載の内容は、製品の改良に伴い予告なしに変更する場合があります。

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窒化物半導体エピタキシャルウエハ地球環境にやさしいGaNパワーデバイスの実現に貢献します。 GaN Epitaxial Wafer

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地球環境にやさしいGaNパワーデバイスの実現に貢献します。
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