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窒化物半導体エピタキシャルウエハ

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窒化物半導体エピタキシャルウエハ

窒化物半導体を用いたパワーデバイスは、これからの低炭素社会を支えるグリーンデバイスとして期待されています。
NTT-ATは窒化物半導体エピタキシャルウエハの製造技術により、省エネルギー化の早期実現に貢献します。

窒化ガリウム(GaN)に代表される窒化物半導体は、現在広く用いられているSiパワーデバイスの限界を超えた高出力、高耐圧、高周波、低損失の動作が可能なため、次世代パワーデバイスとして大きく期待されています。

 

 
◆パワーデバイスの開発に、こんな課題をお持ちではありませんか?
使用する基板種が決まっていない、様々な基板種を試したい。
少量多品種での試作をしつつ、将来の量産体制も確保したい。
当然、大口径サイズも必要。
   
◆NTT-ATの窒化物半導体エピタキシャルウエハなら
シリコン(Si)、サファイア(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)基板上に結晶成長する技術を有しており、窒化物系に使われるすべての基板に対応できます。
複数の基板種を用いた開発検討を併行して進められます。
お客様の大切な時間を無駄にしません。
   
少量の試作から承ります。
三菱化学株式会社との提携により、量産体制も整えております。
三菱化学への製造委託のニュースリリースはこちら
   
大口径6インチシリコン基板にも対応しております。
また当社関連部門との連携によって、デバイス作製や材料分析も可能です。
   
◆適用例
携帯基地局用パワーデバイス
車載用パワーデバイス
家電用パワーデバイス
耐環境デバイス
   
◆AlGaN/GaN HEMT構造エピ製品(一例)
Cap Layer Material: GaN
doped or un-doped
Thickness: 0~5 nm
Barrier Layer Material: AlGaN with or without AlN spacer
doped or un-doped
Al-content:10~50%
Thickness: < ~50 nm
Buffer Layer Material: (Al)GaN
Thickness: 1~3 μm
Substrate Si Sapphire SiC GaN
2~6 inch 2~4 inch 2~4 inch 2 inch
   
◆カタログダウンロード
必要な資料をクリックしてダウンロードしてください。
「6インチSi基板上AlGaN/GaN HEMTエピウエハ」カタログ (PDFファイル:82KB)
製品検査データ例 (PDFファイル:90KB)
   
 ◆関連サービス

 「本製品や試作したデバイスについて構造分析や成分分析をしたい」というお客様には

 

 デバイスや材料の形態・構造、および結晶構造解析なら 物理分析

   無機・有機分野の極微量分析から主成分分析なら 化学分析
 
「デバイス試作プロセスを外注したい」というお客様には
 半導体プロセスサービス
◆お問い合わせ先
NTTアドバンステクノロジ株式会社
先端プロダクツ事業本部
ナノテクビジネスユニット
窒化物半導体エピタキシャルウエハ担当
〒243-0124
神奈川県厚木市森の里若宮3-1
NTT厚木研究開発センタ内
TEL:046-250-3344 FAX: 046-270-2439
*本ホームページに記載の内容は、製品の改良に伴い予告なしに変更する場合があります。

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