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窒化物半導体エピタキシャルウエハ

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窒化物半導体エピタキシャルウエハ

窒化物半導体エピタキシャルウェハとは?

窒化物半導体を用いたパワーデバイスは、これからの低炭素社会を支えるグリーンデバイスとして期待されています。
NTT-ATは窒化物半導体エピタキシャルウエハの製造技術により、省エネルギー化の早期実現に貢献します。

窒化ガリウム(GaN)に代表される窒化物半導体は、現在広く用いられているSiパワーデバイスの限界を超えた高出力、高耐圧、高周波、低損失の動作が可能なため、次世代パワーデバイスとして大きく期待されています。

パワーデバイスの開発に、こんな課題をお持ちではありませんか?

  • 使用する基板種が決まっていない、様々な基板種を試したい。
  • 少量多品種での試作をしつつ、将来の量産体制も確保したい。
  • 当然、大口径サイズも必要。

NTT-ATの窒化物半導体エピタキシャルウエハなら

  • シリコン(Si)、サファイア(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)基板上に結晶成長する技術を有しており、窒化物系に使われるすべての基板に対応できます。複数の基板種を用いた開発検討を併行して進められます。お客様の大切な時間を無駄にしません。
  • 少量の試作から承ります。三菱化学株式会社との提携により、量産体制も整えております。
  • 大口径6インチシリコン基板にも対応しております。 また当社関連部門との連携によって、デバイス作製や材料分析も可能です。

適用例

  • 携帯基地局用パワーデバイス
  • 車載用パワーデバイス
  • 家電用パワーデバイス
  • 耐環境デバイス

AlGaN/GaN HEMT構造エピ製品(一例)

Substrate Si Sapphire SiC GaN
2~6 inch 2~4 inch 2~4 inch 2 inch
Buffer Layer Material: (Al)GaN
Thickness: 1~3 μm
Barrier Layer Material: AlGaN with or without AlN spacer
doped or un-doped
Al-content:10~50%
Thickness: < ~50 nm
Cap Layer Material: GaN
doped or un-doped
Thickness: 0~5 nm

カタログダウンロード

「6インチSi基板上AlGaN/GaN HEMTエピウエハ」カタログ 82KB
製品検査データ例 90KB

関連サービス

「本製品や試作したデバイスについて構造分析や成分分析をしたい」というお客様には

  • デバイスや材料の形態・構造、および結晶構造解析なら 物理分析
  • 無機・有機分野の極微量分析から主成分分析なら 化学分析

「デバイス試作プロセスを外注したい」というお客様には

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NTTアドバンステクノロジ株式会社
先端プロダクツ事業本部 ナノテクビジネスユニット
窒化物半導体エピタキシャルウエハ担当

〒243-0124 神奈川県厚木市森の里若宮3-1 NTT厚木研究開発センタ内
TEL:046-250-3344 FAX: 046-270-2439
 

*本ホームページに記載の内容は、製品の改良に伴い予告なしに変更する場合があります。

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