適用例
透過電子顕微鏡（TEM） ・ウィークビーム法によるGaNエピ膜の転位観察 ・ナノマテリアルのHRTEM観察 ・金属多層膜の断面構造のTEM観察像 ・ステップのTEM観察像 ・金属材料のTEM観察像 ・電子回析による結晶性評価 ・Micro-Sampling技術
分析電子顕微鏡（FE-TEM） ・CBED法によるGaNの極性判定 ・指定特定領域でのEDS分析
走査電子顕微鏡（SEM） ・硬軟複合材料の界面観察技術 ・Co-Cr合金薄膜の微細偏析構造 ・n-InGaAsP／InP 周期構造のSEM観察 原子間力顕微鏡(AFM) ・シリコン表面の原子スケールステップの観察
二次イオン質量分析(SIMS) ・低エネルギー二次イオン質量分析 ・半導体同位体工学を支えるSIMS評価技術 ・GaN試料の深さ分布を正確に得るために ・深さ分解能評価関数を用いた真の拡散分布の推定 ・鉄鋼中の二次イオン像面分析全反射蛍光X線分析（TXRF) ・全反射蛍光X線分析（TXRF) ・全反射蛍光X線分析 全面高速マッピング (Sweeping-TXRF)オージェ電子分光分析（AES） ・電子デバイスの故障解析 ・InP表面のスパッタ荒れと組成変化の相関 ・試料回転法による多層膜の深さ方向分析 ・深さ方向データ処理法 [AES,XPS]X線光電子分光分析(XPS) ・超純水洗浄処理によるGaAs表面の清浄化 ・角度分解測定によるPbIn合金酸化膜の解析原子間力顕微鏡(AFM) ・シリコン表面の原子スケールステップの観察X線マイクロ分析（EPMA） ・LEDの断面構造観察
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