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試料回転法による多層膜深さ方向分析

オージェ電子分光法

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組成の深さ方向分布の分析には、イオンスパッタリングを併用したオージェ電子分光法が一般的に用いられますが、スパッタリングによる表面荒れ等の問題で表面から深くなると界面分解能が低下してしまいます。そこで、スパッタリング中に試料を回転させることで、イオン線に対する異方性を緩和し表面荒れを軽減して深くまで分解能高く測定することが可能となります。

Ni/C多層膜がシリコン基板上に5組スパッタ蒸着されているものを試料として、スパッタリング中に回転させた場合とさせない場合を比較しました。なお、Ni層およびC層の厚さは各々43.3nmで構成されています。

 

試料を回転させない場合の深さ方向分布

 

試料を回転させない場合の深さ方向分布

試料を回転させた場合の深さ方向分布
 

試料を回転させた場合の深さ方向分布

試料回転
 

 


試料を回転させると、深くまで界面分解能を低下させることなく
測定できることがわかります。


 

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