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GaN試料の深さ分布を正確に得るために 二次イオン質量分析

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GaN中の不純物分布はSIMSにより日常的に評価されています。しかしながら、O2+を一次イオンとしたSIMS分析では、通常のイオン照射条件で、波状の表面荒れが生じることがあります。測定中に生じる表面荒れは、深さ方向分解能を著しく劣化させるため、正確な深さ分布を得るためには好ましくありません。NTT-ATでは、分析時に生じる表面荒れを小さくする測定条件を把握することにより、深さ分解能の高い分析データを提供しています。

 

AFM
上図は、GaNをO2+により10 keV, 45°の条件でスパッタした表面のAFM像です。波状の凹凸が生じているのが明瞭にわかります。
AFM
上図は、GaNを種々の条件でO2+によりスパッタした表面の荒さ(RMS)です。O2+によりGaNを測定する場合、いずれのスパッタエネルギーでも45°近傍での入射は表面荒れが大きく、深さ方向分析には適さないことがわかります。

 

RMS

 

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