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低エネルギー二次イオン質量分析

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フローティング銃導入により、深さ方向元素分析が、より高精度に

一次イオンビームを低エネルギー化した二次イオン質量分析装置を導入し、半導体中の浅い領域のドーパントの分析や薄膜多層膜の高精度分析など、高感度な深さ方向元素分布の測定が可能になりました。

超格子構造のSIMS分析例

化合物超格子構造



上図は化合物超格子構造の電子顕微鏡写真です。
下図は化合物超格子構造において、1μmの深さに存在するInPデルタ層(8nm幅)を高い深さ方向分解能で検出した結果を示します。

 

SIMS



次の図は、Si中の8nmピッチのBデルタドープ層を、高精度で深さ方向分析を行った事例です。
 

SIMSドープ層

 

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