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電子回折による結晶性評価 透過電子顕微鏡

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透過電子顕微鏡では電子回折図形を得ることができ、結晶性の評価ができます。下の写真はXe照射によってSiO2上非結晶質Siをエピタキシャル成長させた試料です。Si基盤上に直接成長させた部分(写真a)では、完全な単結晶を示しています。SiO2層端部の成長層(写真b)では{111}方位に3倍周期の過剰斑点が観察され、高密度の積層欠陥の発生を示しています。また、SiO2層端部より500nm以上離れた領域(写真c)では、完全なアモルファスを示しています。

 

Xe照射によってSiO2上非結晶質Siをエピタキシャル成長させた試料

c b a
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データ提供:NTT

 

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