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メタル形成

半導体プロセスサービス

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抵抗加熱蒸着、電子ビーム(EB)蒸着、スパッタリングによる各種メタル形成を承ります。
2層レジスト法を用いたリフトオフによるメタルパターンの形成も可能です。

仕様

形成方式
対応可能メタル
対応可能基板
対応可能サイズ
抵抗加熱蒸着 Au,Cr及びAu合金系(AuZn,AuGe,AuZnNi,AuGeNi) GaAs、InP、Si、石英、サファイア、GaN、SiC Φ2"、Φ3"、不定形(Φ2"まで)
EB蒸着 Ti,Pt,Au,Zn,Cr,AuGe,Sn,Al,Ni,C,Si Φ2"~Φ4"、不定形
スパッタ Au Φ2"、Φ3"

特徴

  • 電子ビーム蒸着は、抵抗加熱蒸着に比べ、より純度の高い膜が得られます。
  • EB蒸着装置に関しては表記メタル以外でも蒸着可能です。ご相談ください。
  • 形成したメタルをマスクとした半導体のエッチングにも対応いたします。
  • メタルのエッチングにも対応いたします。
  • Auめっきを用いたパターン作製にも対応いたします。

⇒関連ページ:MEMS素子用Siプロセスサービス

メタル形成例

メタルドット
メタルドット
メタルメッシュ
メタルメッシュ
微細メタル(Ti/Au)(幅=400nm)
微細メタル(Ti/Au)(幅=400nm)
ナノドット構造(Au=50nmφ)
ナノドット構造(Au=50nmφ)
狭ギャップ電極構造(ギャップ間隔:約80nm)
狭ギャップ電極構造(ギャップ間隔:約80nm)

 

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