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エッチング

半導体プロセスサービス

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フッ素系、その他ハロゲン系の各ガス種によるドライエッチング、硫酸系、塩酸系、
HF系エッチャントによるウエットエッチングを承ります。

仕様

形成方式
対応可能ガス/薬液
対応可能材料
ドライエッチング フッ素系、その他ハロゲン系 各種III-V族、Si、絶縁膜、石英等 
ウエットエッチング 硫酸系、塩酸系、HF系

対応可能サイズ:Φ2"~Φ4"、不定形

特長

  • エッチング後の評価も承ります。

深さ評価は「段差測定」、「断面SEM観察」、「AFM評価」
形状/エッチング面は、「断面SEM観察」、「表面SEM観察」により評価いたします。

  • メタルのエッチングも承ります。
  • 「ドライエッチングによるSiの深溝パターン作製」にも対応いたします。

⇒関連ページ:MEMS素子用Siプロセスサービス

  • 「ドライエッチングによる石英の深溝パターン作製」にも対応いたします。

 

ドライエッチング例

GaAs基板導波路パターン(1)(高さ=2μm)

GaAs基板導波路パターン(1)(高さ=2μm)

GaAs基板導波路パターン(2)

GaAs基板導波路パターン(2)

InP基板上の曲導波路パターン

InP基板上の曲導波路パターン

Si基板の深溝パターン(高さ=10μm)

Si基板の深溝パターン(高さ=10μm)

石英基板の深溝パターン(高さ=8μm)

石英基板の深溝パターン(高さ=8μm)
 

 

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