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研磨・劈開・ダイシング・ボンディング

半導体プロセスサービス

営業部門 TEL 046-270-2075 (受付9:00~17:00)土日祝日年末年始を除く平日
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ウエハ裏面研磨、劈開、ダイシング、Auワイヤボンディング等、プロセス後工程を承ります。

研磨

ウエハ表面(裏面)研磨・薄化の各種研磨を承ります。用途に合わせ、各種研磨盤、 研磨剤、研磨治具を用意しております。

対応可能基板
対応可能サイズ
GaAs、InP Φ2"、Φ3"、不定形

ダイシング

InP、GaAs、Si、石英、サファイア基板を中心に、精密ダイヤモンドブレードと精密加工装置を用いたダイシングサービスを承ります。

対応可能基板
対応可能サイズ
GaAs、InP、Si、石英、サファイア、GaN、SiC Φ2"、Φ3"、Φ6"、不定形

ダイシング例(Si基板)ダイシング例(Si基板)

  • ダイシング後の「チップの拾い出し作業」、「ダイシング用保護膜(レジスト等)の除去」、 「洗浄作業」もお受けいたします。

劈開

InP基板、GaAs基板に関しましては劈開によるデバイスのチップ化も承ります。ダイヤモンドペンシルによる手動劈開、 及びスクライブ装置とブレーキング装置による自動劈開が可能です。

マウント・ワイヤボンディング

電子デバイス、光デバイスチップのヘッダー等へのマウント、及びAuワイヤボンディングサービスを承ります。

ウェッジボンダを用いたAuワイヤリング例
ウェッジボンダを用いたAuワイヤリング例
ボールボンダを用いたAuワイヤリング例
ボールボンダを用いたAuワイヤリング例

 

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