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MEMS素子用Siプロセスサービス

営業部門 TEL 046-270-2075 (受付9:00~17:00)土日祝日年末年始を除く平日
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  • パターン設計からデバイス試作、パッケージングまで幅広いニーズに対応いたします。
  • その他、個別プロセス(スポットプロセス)のご依頼も賜ります。
  • 例えば、6インチSiウエハを用いて、MEMS素子プロセスに必要なパターニング、電極の厚膜形成、RIE装置による深溝エッチングなどを中心にサービスを実施しています。
  • 少枚数の試料でもお引き受けいたします。
MEMS製作例
MEMS製作例
(NTTマイクロシステムインテグレーション研究所様ご提供)

 

1.ドライエッチングによるSiの深溝パターン作製工程

  • 光露光、電子線露光によるレジストパターンを作成し、加工変換差の少ないエッチングを行います。
  • 数十nm~Si基板貫通エッチングまで、種々の深さの希望にお答えします。
Si深溝パターン例1
Si深溝パターン例
Si深溝パターン例2

 

2.Auめっきを用いたパターン作製工程

《 メタル形成 》
めっき用のシード層となるAu薄膜を蒸着法により形成します。
《 露光 》
  • ポジ型レジストを用いてめっき用レジストパターンを形成します。
  • コンタクトアライナを使用しますので、数μm以上のサイズとなります。

*パターン形状、アスペクト比などはパターンサイズ、膜厚によって異なります。

《 めっき 》
  • レジストパターンニングされた試料に厚膜めっきを施します。
  • めっき形成後はレジスト、シード層を除去します。
  • 1回にできる厚膜めっきの最大厚は20μmです。

*サイズの形状が異なるパターンが混在する場合には、膜厚のバラツキが生じます。

レジストマスクにより作製した厚膜めっきパターン
レジストマスクにより作製した厚膜めっきパターン
(height=10μm)

 

3.その他

《 絶縁膜形成 》
  • 電気炉を用いて熱酸化膜の形成を承ります。
  • スパッタを用いて酸化膜の形成を承ります。
《 メタル形成 》
  • スパッタ、蒸着装置を用いて各種メタル膜を形成いたします。(膜種:Cr、Ti、TiN、Cu、Au)
《 ウエットエッチング 》
  • 絶縁膜や各種メタル膜のエッチングを承ります。

 

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