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X線および電子線リソグラフィ用マスク

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次世代LSIのキーテクノロジとしてX線リソグラフィは早くから注目され、その開発にNTT研究所は多くのリソースを投入してきました。NTT-ATでは、このNTT研究所がX線マスク開発で培った各種の要素技術を用いて、超微細化製品の開発・提供を行っています。

X線マスク

特徴

  • 0.1μm以下のパタン転写が可能
  • SiCメンブレンによる高い位置精度を達成

製作例

主な仕様
マスク外観
構造
メンブレン上のTaパタン
吸収体
Ta
300nm厚
応力~0MPa  
メンブレン
SiCまたはSiN 2μm厚
応力100MPa~200MPa
20~30mm角
最小パタン幅
50nm

X線マスク外観

電子ビーム用マスク

  • SiCを用いた極薄のステンシルマスク

製作例

主な仕様
マスク外観
構造
SiCステンシル構造
メンブレン
SiC 300nm厚
応力100MPa~200MPa
3mm角×25個
最小パタン
70nm
電子ビーム用マスク外観
マスクパタン(SEM)
マスクパタン(SEM)
70nm ホールパタン

 

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