Qu'est-ce qu'une plaquette épitaxiale semi-conductrice de nitrure ?
Les dispositifs de puissance utilisant des semi-conducteurs au nitrure devraient être des dispositifs verts qui soutiennent la future société à faible émission de carbone.
NTT-AT contribue à la réalisation précoce de la conservation de l'énergie grâce à sa technologie de fabrication de tranches épitaxiales de semi-conducteurs à base de nitrure.
Avez-vous l'un de ces problèmes dans le développement de dispositifs d'alimentation ?
- Je veux essayer différents types de substrats qui n'ont pas décidé quel type de substrat utiliser.
- Nous aimerions sécuriser un futur système de production de masse tout en faisant une production d'essai avec une petite quantité de produits divers.
- Bien sûr, une taille de grand diamètre est également requise.
Plaquettes épitaxiales semi-conductrices de nitrure de NTT-AT
- Nous avons la technologie pour faire croître des cristaux sur des substrats de silicium (Si), de saphir (Al2O3), de carbure de silicium (SiC) et de nitrure de gallium (GaN), et pouvons gérer tous les substrats utilisés pour les systèmes de nitrure. Des études de développement utilisant plusieurs types de substrats peuvent être menées en parallèle. Nous ne perdons pas votre temps précieux.
- Nous acceptons les commandes allant des prototypes à petite échelle à la production de masse.
- Il est également compatible avec les substrats de silicium de grand diamètre de 8 pouces. De plus, la fabrication d'appareils et l'analyse de matériaux sont également possibles grâce à la collaboration avec nos départements concernés.
Exemple d'application
- Petit chargeur rapide USB
- Lampadaire LED
- Dispositifs d'alimentation pour stations de base mobiles
- Dispositif d'alimentation automobile
- Dispositifs d'alimentation pour appareils électroménagers
- Appareil résistant à l'environnement
Structure HEMT pour application Power (sur 6 pouces Si)
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| Numéro d'article | Bouchon de GaN | Barrière AlGaN | AIN | Canaliser | |
|---|---|---|---|---|---|
| Contenu | Épaisseur | Entretoise | |||
| SEE61K22227S20G | 2nm | 0.22 | 27 nm | 1nm | 200 nm |
| SEE61K22227S30G | 2nm | 0.22 | 27 nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K22515S30G | 2nm | 0.25 | 15 nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K22520S30G | 2nm | 0.25 | 20 nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K22525S30G | 2nm | 0.25 | 25 nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K23020S30G | 2nm | 0.30 | 20 nm | 1nm | 300nm |
| SEE61K21745N30G | 2nm | 0.17 | 45 nm | - | 300nm |
| SEE61K22520N30G | 2nm | 0.25 | 20 nm | - | 300nm |
| SEE61K22520N35G | 2nm | 0.25 | 20 nm | - | 350 nm |
| SEE61K22520N40G | 2nm | 0.25 | 20 nm | - | 400 nm |
| SEE61K22526N15G | 2nm | 0.25 | 26 nm | - | 150 nm |
| SEE61K22526N20G | 2nm | 0.25 | 26 nm | - | 200 nm |
| SEE61K22526N35G | 2nm | 0.25 | 26 nm | - | 350 nm |
| SEE61K22527N35G | 2nm | 0.25 | 27 nm | - | 350 nm |
| SEE61K23020N30G | 2nm | 0.30 | 20 nm | - | 300nm |
| SEE61K02822S30G | - | 0.28 | 22 nm | 1nm | 300nm |
| couche de protection | |
|---|---|
| Matériaux | GaN |
| Épaisseur | 2 (nm) ou pas de plafond |
| Barrière | |
| Matériaux | AlGaN |
| Al contenu | 20~30 (%) |
| Épaisseur | 15~27 (nm) |
| Canaliser | |
| Matériaux | GaN |
| Épaisseur | 150~400 (nm) |
| Amortir | |
| Se doper | Dopage C |
| Épaisseur | ~3900 (nm) |
| Substrat | |
| Silicium | 1 mm d'épaisseur |
| Fonctionnalités | |
| Résistance de feuille : 350 ~ 400 ohm/carré (avec entretoise AlN), 450 ~ 500 ohm/carré (sans entretoise AlN) Mobilité électronique : ~1700 à 1900 cm2 /Vs FWHM (002): <800 secondes d'arc FWHM (102): <1400 secondes d'arc Tension de claquage : 800V – 1000V (selon la structure de l'appareil) Valeur d'inclinaison : < 50 um |
|
Produit épitaxial de structure AlGaN/GaN HEMT (exemple)
| couche de protection | Matériau : GaN | |||
|---|---|---|---|---|
| dopé ou non dopé | ||||
| Épaisseur : 0-5 nm | ||||
| Couche barrière | Matériau : AlGaN avec ou sans entretoise AlN | |||
| dopé ou non dopé | ||||
| Teneur en Al : 10-50 % | ||||
| Épaisseur : <~50nm | ||||
| Couche tampon | Matériau : (Al)GaN | |||
| Épaisseur : 1-3 μm | ||||
| Substrat | Si | Saphir | SiC | GaN |
| 2 à 8 pouces | 2 à 3 pouces | 2～6 inch | 2 à 4 pouces | |
Gamme disponible (6 pouces et 8 pouces)
| on Si substrate | AlGaN/GaN HEMT structure | |
|---|---|---|
| 6 inch | 8 inch | |
| Bouchon de GaN | ✔ | ✔ |
| in-situ SiN (~5nm) | ✔ | ✔ |
| in-situ SiN (~40nm) | ✔ | ✔ |
|
p-GaN (~80nm)
(Mg: 2x1019 cm-3) |
✔ | ✔ |
téléchargement du catalogue
| Catalogue "InAlN/GaN HEMT Epi Wafer" | 263 Ko | Téléchargement PDF |
|---|---|---|
| Catalogue "GaN EPITAXIAL WAFERS" (Anglais) | 3.8MB | Téléchargement PDF |
Matériel de données "Devait améliorer le rendement de fabrication des dispositifs - plaquette épitaxiale AlGaN/GaN de 8 pouces avec une excellente uniformité"
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Demande/demande de documentsServices associés
Pour les clients qui souhaitent effectuer une analyse structurelle ou une analyse des composants sur ce produit ou prototype d'appareil
- Observation morphologique pour l'analyse de la morphologie, de la structure et de la structure cristalline des dispositifs et des matériaux
- Analyse chimique de l'analyse des traces des champs inorganiques et organiques à l'analyse des composants principaux
Pour les clients qui souhaitent externaliser le processus de prototypage d'appareils
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