Accueil > Optique EUV, Optique à rayons X > Pièces d'optique EUV > Miroir EUV / Miroir rayons X souples

Miroir EUV / miroir à rayons X doux

Nous fournissons des miroirs multicouches et des miroirs monocouches pour EUV.

Demandes en anglais

caractéristique

画像
Miroir multicouche Mo/Si
Nous fournissons des miroirs EUV qui réfléchissent la lumière EUV avec une énergie photonique de 10 eV - 1 keV (longueur d'onde 120 nm - 1,2 nm) avec un rendement élevé. Ce miroir à bande d'énergie, également appelé rayons X doux ou lumière XUV, est utilisé dans un large éventail de domaines tels que les applications industrielles telles que la lithographie EUV, la recherche physique et chimique à ultra-haute vitesse utilisant des harmoniques d'ordre élevé, les applications d'astrophysique, et l'observation du plasma aux rayons X mous.
Les miroirs à film multicouche sont principalement utilisés pour l'incidence directe, et les miroirs à film monocouche sont principalement utilisés pour l'incidence oblique.

Exemple de conception

グラフ
      Miroir multicouche Mo/Si, angle d'incidence 0 degré
 
グラフ
      Miroir monocouche Ru, angle d'incidence 80 degrés
 

Spécifications typiques

Nous concevrons la forme et le revêtement du substrat en fonction de votre demande.

  Spécifications typiques
Taille maximum Diamètre 3mm - 450mm
forme de miroir Plane, Concave, Cylindrique, Parabolique, Sphéroïdale, Toroïdale
matériau multicouche Ru/B4C, Mo/Si, Zr/AlSi, SiC/Mg, W/B4C
matériau monocouche Ru, B4C, C, Ni, Au

Téléchargement de documents

Multilayer Coating for Extreme Ultraviolet Experiments (Anglais, white paper) 615KB
 

Exemple de conception de miroir multicouche EUV

Il s'agit d'un exemple de conception d'un miroir multicouche pour 20 eV - 150 eV (longueur d'onde 60 nm - 8 nm).

Miroir multicouche Ru/B4C (150 eV - 100 eV)

pour 150 eV

グラフ AOI=0 deg.
Réflectance : 33 %, Bande passante : 3,1 eV
グラフ AOI=45 deg.
Réflectance : 31 %, Bande passante : 1,9 eV

pour 120 eV

グラフ AOI=0 deg.
Réflectance : 40 %, Bande passante : 2,2 eV
グラフ AOI=45 deg.
Réflectance : 40 %, Bande passante : 4,5 eV

pour 100 eV

グラフ AOI=0 deg.
Réflectance : 41 %, Bande passante : 3,3 eV
グラフ AOI=45 deg.
Réflectance : 41 %, Bande passante : 6,6 eV

Miroir multicouche Mo/Si (95 eV - 70 eV)

pour 90 eV

グラフ AOI=0 deg.
Réflectance : 68 %, Bande passante : 3,5 eV
グラフ AOI=45 deg.
Réflectance : 67 %, Bande passante : 6,1 eV

pour 80 eV

グラフ AOI=0 deg.
Réflectance : 61 %, Bande passante : 3,1 eV
グラフ AOI=45 deg.
Réflectance : 60 %, Bande passante : 7,7 eV

Miroir multicouche Zr/AlSi (70 eV - 50 eV)

pour 70 eV

グラフ AOI=0 deg.
Réflectance : 59 %, Bande passante : 2,8 eV
グラフ AOI=45 deg.
Réflectance : 59 %, Bande passante : 4,4 eV

pour 60 eV

グラフ AOI=0 deg.
Réflectance : 49 %, Bande passante : 3,3 eV
グラフ AOI=45 deg.
Réflectance : 49 %, Bande passante : 6,3 eV

pour 50 eV

グラフ AOI=0 deg.
Réflectance : 32 %, Bande passante : 4,9 eV
グラフ AOI=45 deg.
Réflectance : 32 %, Bande passante : 9,6 eV

Miroir multicouche SiC/Mg (45 eV - 20 eV)

pour 40 eV

グラフ AOI=0 deg.
Réflectance : 48 %, Bande passante : 2,5 eV
グラフ AOI=45 deg.
Réflectance : 48 %, Bande passante : 3,0 eV

pour 30 eV

グラフ AOI=0 deg.
Réflectance : 44 %, Bande passante : 3,1 eV
グラフ AOI=45 deg.
Réflectance : 45 %, Bande passante : 3,8 eV

pour 20 eV

グラフ AOI=0 deg.
Réflectance : 41 %, Bande passante : 3,1 eV
グラフ AOI=45 deg.
Réflectance : 46 %

Spécifications du produit standard du miroir multicouche EUV

Modèle standard EUVML-(a)-(b)-(c)-(d)-(e)(f)
(a) Matériau de film multicouche Ru/B4C, Mo/Si, Zr/AlSi, SiC/Mg
(b) Type réfléchissant H : haute réflectivité, N : bande étroite, B : large bande
(c) Angle d'incidence 0 degrés - 60 degrés
(d) énergie centrale 20 eV - 150 eV (60 nm - 8 nm)
(b) Taille du substrat 1025 : 1 pouce de diamètre x 0,25 pouce d'épaisseur
0525 : 0,5" de diamètre x 0,25" d'épaisseur
(c) Type de substrat F : plat, C : concave (rayon de courbure 100 mm - 3000 mm)
 

Exemple de conception de miroir de film monocouche EUV

Il s'agit d'un exemple de conception d'un miroir monocouche pour 10 eV - 1 keV (longueur d'onde 120 nm - 1,2 nm).

Au miroir

グラフ AOI=75 deg.
 
グラフ AOI=85 deg.
 

Ni miroir

グラフ AOI=75 deg.
 
グラフ AOI=85 deg.
 

Ru miroir

グラフ AOI=75 deg.
 
グラフ AOI=85 deg.
 

SiC miroir

グラフ AOI=75 deg.
 
グラフ AOI=85 deg.
 

B4C miroir 

グラフ AOI=75 deg.
 
グラフ AOI=85 deg.
 

Spécifications du produit standard pour miroir monocouche EUV

Modèle standard EUVSM-(a)-(b)(c)
(a) Matériau de revêtement Au, Ni, Ru, B4C, SiC
(b) Taille du substrat 1025 : 1 pouce de diamètre x 0,25 pouce d'épaisseur
0525 : 0,5" de diamètre x 0,25" d'épaisseur
(c) Type de substrat F : plat, C : concave (rayon de courbure 100 mm - 3000 mm)

Contactez nous s'il vous plait

N'hésitez pas à nous contacter pour toute demande telle qu'un devis.

Demandes en anglais

Gamme de produits

fermer

Liste des services

fermer

Liste de propositions de résolution de problèmes

fermer

Liste du catalogue

fermer