caractéristique
Miroir multicouche Mo/Si
Nous fournissons des miroirs EUV qui réfléchissent la lumière EUV avec une énergie photonique de 10 eV - 1 keV (longueur d'onde 120 nm - 1,2 nm) avec un rendement élevé. Ce miroir à bande d'énergie, également appelé rayons X doux ou lumière XUV, est utilisé dans un large éventail de domaines tels que les applications industrielles telles que la lithographie EUV, la recherche physique et chimique à ultra-haute vitesse utilisant des harmoniques d'ordre élevé, les applications d'astrophysique, et l'observation du plasma aux rayons X mous.
Les miroirs à film multicouche sont principalement utilisés pour l'incidence directe, et les miroirs à film monocouche sont principalement utilisés pour l'incidence oblique.
Les miroirs à film multicouche sont principalement utilisés pour l'incidence directe, et les miroirs à film monocouche sont principalement utilisés pour l'incidence oblique.
Exemple de conception
Miroir multicouche Mo/Si, angle d'incidence 0 degré
Miroir monocouche Ru, angle d'incidence 80 degrés
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Spécifications typiques
Nous concevrons la forme et le revêtement du substrat en fonction de votre demande.
Spécifications typiques | |
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Taille maximum | Diamètre 3mm - 450mm |
forme de miroir | Plane, Concave, Cylindrique, Parabolique, Sphéroïdale, Toroïdale |
matériau multicouche | Ru/B4C, Mo/Si, Zr/AlSi, SiC/Mg, W/B4C |
matériau monocouche | Ru, B4C, C, Ni, Au |
Téléchargement de documents
Multilayer Coating for Extreme Ultraviolet Experiments (Anglais, white paper) | 615KB | Télécharger |
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Exemple de conception de miroir multicouche EUV
Il s'agit d'un exemple de conception d'un miroir multicouche pour 20 eV - 150 eV (longueur d'onde 60 nm - 8 nm).
Miroir multicouche Ru/B4C (150 eV - 100 eV)
pour 150 eV
Réflectance : 33 %, Bande passante : 3,1 eV
Réflectance : 31 %, Bande passante : 1,9 eV
pour 120 eV
Réflectance : 40 %, Bande passante : 2,2 eV
Réflectance : 40 %, Bande passante : 4,5 eV
pour 100 eV
Réflectance : 41 %, Bande passante : 3,3 eV
Réflectance : 41 %, Bande passante : 6,6 eV
Miroir multicouche Mo/Si (95 eV - 70 eV)
pour 90 eV
Réflectance : 68 %, Bande passante : 3,5 eV
Réflectance : 67 %, Bande passante : 6,1 eV
pour 80 eV
Réflectance : 61 %, Bande passante : 3,1 eV
Réflectance : 60 %, Bande passante : 7,7 eV
Miroir multicouche Zr/AlSi (70 eV - 50 eV)
pour 70 eV
Réflectance : 59 %, Bande passante : 2,8 eV
Réflectance : 59 %, Bande passante : 4,4 eV
pour 60 eV
Réflectance : 49 %, Bande passante : 3,3 eV
Réflectance : 49 %, Bande passante : 6,3 eV
pour 50 eV
Réflectance : 32 %, Bande passante : 4,9 eV
Réflectance : 32 %, Bande passante : 9,6 eV
Miroir multicouche SiC/Mg (45 eV - 20 eV)
pour 40 eV
Réflectance : 48 %, Bande passante : 2,5 eV
Réflectance : 48 %, Bande passante : 3,0 eV
pour 30 eV
Réflectance : 44 %, Bande passante : 3,1 eV
Réflectance : 45 %, Bande passante : 3,8 eV
pour 20 eV
Réflectance : 41 %, Bande passante : 3,1 eV
Réflectance : 46 %
Spécifications du produit standard du miroir multicouche EUV
Modèle standard | EUVML-(a)-(b)-(c)-(d)-(e)(f) |
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(a) Matériau de film multicouche | Ru/B4C, Mo/Si, Zr/AlSi, SiC/Mg |
(b) Type réfléchissant | H : haute réflectivité, N : bande étroite, B : large bande |
(c) Angle d'incidence | 0 degrés - 60 degrés |
(d) énergie centrale | 20 eV - 150 eV (60 nm - 8 nm) |
(b) Taille du substrat | 1025 : 1 pouce de diamètre x 0,25 pouce d'épaisseur 0525 : 0,5" de diamètre x 0,25" d'épaisseur |
(c) Type de substrat | F : plat, C : concave (rayon de courbure 100 mm - 3000 mm) |
Exemple de conception de miroir de film monocouche EUV
Il s'agit d'un exemple de conception d'un miroir monocouche pour 10 eV - 1 keV (longueur d'onde 120 nm - 1,2 nm).Au miroir
Ni miroir
Ru miroir
SiC miroir
B4C miroir
Spécifications du produit standard pour miroir monocouche EUV
Modèle standard | EUVSM-(a)-(b)(c) |
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(a) Matériau de revêtement | Au, Ni, Ru, B4C, SiC |
(b) Taille du substrat | 1025 : 1 pouce de diamètre x 0,25 pouce d'épaisseur 0525 : 0,5" de diamètre x 0,25" d'épaisseur |
(c) Type de substrat | F : plat, C : concave (rayon de courbure 100 mm - 3000 mm) |
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