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Silizium-Wellenleiter (Silizium-Photonik)

Foundry-Services, die Spitzenforschung und -entwicklung unterstützen

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Merkmale unseres Silizium-Wellenleiter-Fertigungsservices

Fertigung von Siliziumwellenleitern nach Kundendesign

Wir realisieren ultrafeine optische Schaltkreise basierend auf Kundendesigns auf einer Si-Draht-Wellenleiter-basierten Plattform, unterstützt durch fortschrittliche Verarbeitungstechnologie.
*Bitte bereiten Sie einen Entwurf vor (GDSⅡ-Format oder DXF-Format).

Erzielt verlustarme Verbindungen zwischen Silizium-Wellenleitern und Glasfaser-Arrays

Spotgrößenkonverter ermöglicht es eine verlustarme Verbindung mit einer Glasfaser usw., sodass Kunden hochpräzise Auswertungen durchführen können.Ausgestattet mit einem

In der Lage, verschiedene Designanforderungen zu erfüllen

Wir bieten Optionen, um die unterschiedlichen Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen, wie z. B. die präzise Steuerung optischer Eigenschaften und Verbundwerkstoffe mit verschiedenen Arten von Materialien wie Polymeren.

Nahtlose Unterstützung von der Herstellung von Silizium-Wellenleitern → Merkmalsauswertung → Glasfasermontage

Neben der Herstellung von Silizium-Wellenleitern können wir alles von der Bewertung optischer Eigenschaften bis hin zur Montage von Glasfasern auf Chips nach Kundenwunsch nahtlos erledigen.


1. Si-Draht-Wellenleiter – Beispiel einer grundlegenden Prototyp-Chip-Herstellung –

Wir realisieren ultrafeine optische Schaltungen basierend auf Kundendesigns auf Si-Draht-Wellenleiter-basierten Plattformen.
Beispiel für die Prototypen-Chip-Herstellung einer grundlegenden Silizium-Wellenleiterschaltung
Spezifikationsbeispiel
Durchmesser des Wellenleiterkerns 400–500 nm Breite x 220 nm Dicke
Ringresonatorspalt 150 nm oder mehr
Wellenleiterbereich 5mm x 5mm
SS Umwandlungskerndurchmesser 3μm×3μm
Wellenleiterabstand des SS-Konverters 50 μm oder mehr
Chip-Schnittgröße 15 mm x 5,6 mm
Kompatibel mit passiven Wellenleitern und optischen Schaltungen

2. Verlustarme Verbindung: Spotgrößenkonverter

Durch Hinzufügen einer Punktgrößenkonvertierung am Ende des Wellenleiters kann dieser mit geringem Verlust an eine optische Faser oder einen Laser angeschlossen werden. (1,5 [dB/Verbindung])
Punktgrößenkonverter
Struktur des Spot-Size-Conventers (SSC)

Beispiel für den Anschluss eines Glasfaser-Arrays an einen Si-Chip

Beispiel für die Verbindung eines Glasfaser-Arrays mit einem Siliziumchip
Beispiel für den Anschluss eines Glasfaser-Arrays an einen Si-Chip

Verbindungsstruktur für Glasfaser-Arrays

Verbindungsstruktur für Glasfaser-Arrays
Verbindungsstruktur für Glasfaser-Arrays

3. Beispiel für optionale Verarbeitung

Heizung zur Temperaturregelung und zusätzliche Verkabelung
Steuert die Übertragungswellenlänge durch Steuerung des Brechungsindex mit hoher Präzision.
Einführung von Funktionsmaterialien
Einführung von Funktionsmaterialien wie polarisierten Materialien.

Minimale Ta-Heizung zur Temperaturregelung

Anwendungsbeispiel

Optischer Schalter, Präzisions-Wellenlängenfilter

Kundenanfrage

Präzise Steuerung der optischen Eigenschaften durch lokale Erwärmung

Lösung

ein dünner Ta-Metallfilm mit hohem Schmelzpunkt verwendet wird.1 Erzielt eine Heizung, die schwer zu brechen ist, indem

2   Ultrafeine Heizung, die durch hochpräzise Formverarbeitung realisiert wird

3   Realisiert Erwärmung bestimmter Teile nur durch Verlegen mit niederohmiger Au-Verdrahtung

Beispiel für die Verarbeitung von Ta-Heizmustern auf Quarz (ummantelt)


Querschnittsansicht des Mikroheizers
Querschnittsansicht des Mikroheizers

Beispiel für die Verarbeitung von Ta-Heizmustern auf Quarz (ummantelt)
Ta-Heizmuster (Verarbeitungsbeispiel)
SEM-Bild
REM-Aufnahme: Ta-Heizmuster (Abb. 1)

Anwendungsbeispiel

Anwendungsbeispiel
Anwendungsbeispiel

Einführung von Funktionsmaterialien

Die Ummantelung kann unter Verwendung verschiedener funktionaler Materialien gebildet werden.
Anwendungsbeispiel

Sensoren, Modulatoren

Kundenanfrage

Hybridisierung von Si-Wellenleitern und funktionellen Materialien

Lösung

1 Realisierung einer teilweise freigelegten Struktur eines Si-Wellenleiters

2 Anwenden einer Verarbeitung, die den Si-Wellenleiter nicht beschädigt, durch Kombinieren von Trockenätzen und Nassätzen

3   Realisierung eines Prozesses, der keine partielle Ummantelung bildet


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