Was ist ein Nitridhalbleiter-Epitaxiewafer?
Von Leistungsgeräten, die Nitridhalbleiter verwenden, wird erwartet, dass sie umweltfreundliche Geräte sind, die die zukünftige kohlenstoffarme Gesellschaft unterstützen.
NTT-AT trägt mit seiner Nitrid-Halbleiter-Epitaxie-Wafer-Fertigungstechnologie zur frühen Verwirklichung der Energieeinsparung bei.
Haben Sie eines dieser Probleme bei der Entwicklung von Leistungsgeräten?
- Ich möchte verschiedene Arten von Substraten ausprobieren, für die noch keine Entscheidung getroffen wurde, welche Art von Substrat verwendet werden soll.
- Wir möchten ein zukünftiges Massenproduktionssystem sichern, während wir eine Probeproduktion mit einer kleinen Menge verschiedener Produkte durchführen.
- Natürlich ist auch ein großer Durchmesser erforderlich.
Nitridhalbleiter-Epitaxiewafer von NTT-AT
- Wir verfügen über die Technologie, um Kristalle auf Substraten aus Silizium (Si), Saphir (Al2O3), Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) zu züchten, und können alle Substrate verarbeiten, die für Nitridsysteme verwendet werden. Entwicklungsstudien mit mehreren Substrattypen können parallel durchgeführt werden. Wir verschwenden Ihre wertvolle Zeit nicht.
- Wir akzeptieren Aufträge von kleinen Prototypen bis hin zur Massenproduktion.
- Wir unterstützen auch 8-Zoll-Siliziumsubstrate mit großem Durchmesser. Darüber hinaus sind Gerätefertigung und Materialanalyse durch die Zusammenarbeit mit unseren verwandten Abteilungen möglich.
Anwendungsbeispiel
- USB kleines Schnellladegerät
- LED-Straßenleuchte
- Stromversorgungsgeräte für mobile Basisstationen
- Kfz-Leistungsgerät
- Leistungsgeräte für Haushaltsgeräte
- Umweltbeständiges Gerät
HEMT-Struktur für Leistungsanwendungen (auf 6-Zoll-Si)
Es gibt Produkte, die sofort lieferbar sind. Bitte kontaktieren Sie uns.
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| Artikelnummer | GaN-Kappe | AlGaN-Barriere | AlN | Kanal | |
|---|---|---|---|---|---|
| Inhalt | Dicke | Abstandshalter | |||
| SEE61K22227S20G | 2nm | 0.22 | 27 nm | 1nm | 200nm |
| SEE61K22227S30G | 2nm | 0.22 | 27 nm | 1nm | 300 Nanometer |
| SEE61K22515S30G | 2nm | 0.25 | 15 nm | 1nm | 300 Nanometer |
| SEE61K22520S30G | 2nm | 0.25 | 20nm | 1nm | 300 Nanometer |
| SEE61K22525S30G | 2nm | 0.25 | 25nm | 1nm | 300 Nanometer |
| SEE61K23020S30G | 2nm | 0.30 | 20nm | 1nm | 300 Nanometer |
| SEE61K21745N30G | 2nm | 0.17 | 45nm | - | 300 Nanometer |
| SEE61K22520N30G | 2nm | 0.25 | 20nm | - | 300 Nanometer |
| SEE61K22520N35G | 2nm | 0.25 | 20nm | - | 350nm |
| SEE61K22520N40G | 2nm | 0.25 | 20nm | - | 400 Nanometer |
| SEE61K22526N15G | 2nm | 0.25 | 26nm | - | 150nm |
| SEE61K22526N20G | 2nm | 0.25 | 26nm | - | 200nm |
| SEE61K22526N35G | 2nm | 0.25 | 26nm | - | 350nm |
| SEE61K22527N35G | 2nm | 0.25 | 27 nm | - | 350nm |
| SEE61K23020N30G | 2nm | 0.30 | 20nm | - | 300 Nanometer |
| SEE61K02822S30G | - | 0.28 | 22nm | 1nm | 300 Nanometer |
| Deckschicht | |
|---|---|
| Materialien | GaN |
| Dicke | 2 (nm) oder keine Obergrenze |
| Barriere | |
| Materialien | AlGaN |
| Al Inhalt | 20~30 (%) |
| Dicke | 15~27 (sm) |
| Kanal | |
| Materialien | GaN |
| Dicke | 150~400 (nm) |
| Puffer | |
| Doping | C-Doping |
| Dicke | ~3900 (sm) |
| Substrat | |
| Silizium | 1 mm dick |
| Merkmale | |
| Flächenwiderstand: 350~400 Ohm/Quadrat (mit AlN-Abstandshalter), 450~500 Ohm/Quadrat (ohne AlN-Abstandshalter) Elektronenmobilität: ~1700 bis 1900 cm2 /Vs FWHM (002): <800 Bogensekunden FWHM (102): <1400 Bogensekunden Durchschlagspannung: 800V – 1000V (je nach Geräteaufbau) Bogenwert: < 50um |
|
Epitaxieprodukt mit AlGaN/GaN-HEMT-Struktur (Beispiel)
| Deckschicht | Material: GaN | |||
|---|---|---|---|---|
| dotiert oder undotiert | ||||
| Dicke: 0-5nm | ||||
| Sperrschicht | Material: AlGaN mit oder ohne AlN-Spacer | |||
| dotiert oder undotiert | ||||
| Al-Gehalt: 10-50% | ||||
| Dicke: <~50nm | ||||
| Pufferschicht | Material: (Al)GaN | |||
| Dicke: 1-3 μm | ||||
| Substrat | Si | Saphir | SiC | GaN |
| 2 bis 8 Zoll | 2 bis 3 Zoll | 2～6 inch | 2 bis 4 Zoll | |
Modellreihe verfügbar (6 Zoll und 8 Zoll)
| on Si substrate | AlGaN/GaN HEMT structure | |
|---|---|---|
| 6 inch | 8 inch | |
| GaN-Kappe | ✔ | ✔ |
| in-situ SiN (~5nm) | ✔ | ✔ |
| in-situ SiN (~40nm) | ✔ | ✔ |
|
p-GaN (~80nm)
(Mg: 2x1019 cm-3) |
✔ | ✔ |
Katalog herunterladen
| Katalog „InAlN/GaN HEMT Epi Wafer“. | 824 KB | PDF Herunterladen |
|---|---|---|
| Katalog „GaN EPITAXIAL WAFERS“ (Englisch) | 3.8MB | PDF Herunterladen |
Datenmaterial „Wird voraussichtlich die Ausbeute bei der Geräteherstellung verbessern – 8-Zoll-AlGaN/GaN-Epitaxiewafer mit ausgezeichneter Gleichmäßigkeit“
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