Besonderheit
![Röntgenmikroskopische Aufnahme](https://keytech.ntt-at.co.jp/nano/p0024_11.jpg)
Röntgendiagramm REM-Bild
Die Röntgenmikroskopie wird als hochauflösendes bildgebendes Verfahren in verschiedenen Bereichen eingesetzt, für die Auswertung sind jedoch Diagramme mit ausreichend hoher Auflösung erforderlich. Die Röntgendiagramme von NTT-AT mit hochauflösenden Tantal (Ta)-Absorbermustern auf SiC- und SiN-Membranen werden zur Auflösungsbewertung in Synchrotronstrahlungsanlagen auf der ganzen Welt verwendet.
Abhängig von Ihrer Anwendung können Sie zwischen drei Typen wählen: Standardtyp, Dickschichttyp mit hoher Auflösung und Typ mit ultrahoher Auflösung. Wir bieten auch Reflexionskarten für den EUV-Bereich an.
Abhängig von Ihrer Anwendung können Sie zwischen drei Typen wählen: Standardtyp, Dickschichttyp mit hoher Auflösung und Typ mit ultrahoher Auflösung. Wir bieten auch Reflexionskarten für den EUV-Bereich an.
Standardproduktspezifikationen
Artikel | Standard-Typ XRESO-100 |
Hochauflösender Dickschichttyp XRESO-50HC |
Superhochauflösender Typ XRESO-20 |
|
---|---|---|---|---|
Muster | Absorber | Ta, 1,0 µm Dicke | Ta, 500 nm Dicke | Ta, 100 nm dick |
Mindestmaß | 100 nm | 50 nm | 20 nm (radiales Muster) | |
Musterbereich | 250 µm×350 µm |
300 µm×300 µm
|
||
Membran | Ru (20 nm)/SiN (2 µm) | Ru (20 nm)/SiC (200 nm)/SiN (50 nm) | ||
Substrat | Material/äußere Form | Si, 10 mm×10 mm | ||
Dicke | 1 mm | 0.625 mm |
![Außendiagramm (hochauflösender Typ)](https://keytech.ntt-at.co.jp/xray/images/p0024_1_r2.png)
(a) Röntgendiagramm (b) Ru/SiN-Membran (c) Si-Substrat (d) Ta-Absorber
*Die aufgeführten Spezifikationen können aufgrund von Produktverbesserungen ohne vorherige Ankündigung geändert werden. bitte beachte, dass.
Repräsentatives Muster-REM-Bild
![Bild 1](https://keytech.ntt-at.co.jp/xray/images/p0024_15.jpg)
radiales Muster
(XRSO-20)
(XRSO-20)
![Bild 2](https://keytech.ntt-at.co.jp/xray/images/p0024_16.jpg)
100 nm Lochmuster
(XRESO-20)
(XRESO-20)
![Bild 3](https://keytech.ntt-at.co.jp/xray/images/p0024_17.jpg)
50 nm Linien- und Raummuster
(XRSO-20)
(XRSO-20)
![Bild 4](https://keytech.ntt-at.co.jp/nano/p0024_10.jpg)
50 nm Linien- und Raummuster
(XRESO-50HC)
(XRESO-50HC)
Musterlayout
![Musterlayoutbild 1](https://keytech.ntt-at.co.jp/xray/images/p0024_13.jpg)
Superhochauflösender Typ XRESO-20
①Radiales Muster, ②100-nm-Lochmuster, ③50-nm-Linien- und Raummuster
①Radiales Muster, ②100-nm-Lochmuster, ③50-nm-Linien- und Raummuster
![Musterlayoutbild 2](https://keytech.ntt-at.co.jp/nano/p0024_12.jpg)
Hochauflösender Dickfilm vom Typ XRESO-50HC
①Radiales Muster, ②50 nm Linien- und Raummuster
①Radiales Muster, ②50 nm Linien- und Raummuster
![Musterlayoutbild 3](https://keytech.ntt-at.co.jp/nano/p0024_18.jpg)
Standardtyp XRESO-100
Bildbeispiel
![Bild](https://keytech.ntt-at.co.jp/nano/p0024_17.jpg)
Inspektionsausrüstung: Token TUX-5000F, Karte: XRESO-50HC
(Mit freundlicher Genehmigung von Token Co., Ltd.)
(Mit freundlicher Genehmigung von Token Co., Ltd.)
Beispiel für die Herstellung eines benutzerdefinierten Diagramms
![Bild](https://keytech.ntt-at.co.jp/xray/images/p0024_20.jpg)
Reflektierendes Diagramm für EUV
Mehrschichtfolie: Mo/Si für Wellenlänge 13,5 nm, Absorber: Ta
Mehrschichtfolie: Mo/Si für Wellenlänge 13,5 nm, Absorber: Ta
Bitte kontaktieren Sie uns
Bitte zögern Sie nicht, uns für Anfragen wie einen Kostenvoranschlag zu kontaktieren.