¿Qué es una oblea epitaxial semiconductora de nitruro?
Se espera que los dispositivos de potencia que utilizan semiconductores de nitruro sean dispositivos ecológicos que respalden la futura sociedad con bajas emisiones de carbono.
NTT-AT contribuye a la realización temprana de la conservación de energía con su tecnología de fabricación de obleas epitaxiales de semiconductores de nitruro.
¿Tiene alguno de estos problemas en el desarrollo de dispositivos de potencia?
- Quiero probar varios tipos de sustratos que no he decidido qué tipo de sustrato usar.
- Nos gustaría asegurar un futuro sistema de producción en masa mientras realizamos una producción de prueba con una pequeña cantidad de varios productos.
- Por supuesto, también se requiere un tamaño de gran diámetro.
Obleas epitaxiales de semiconductores de nitruro de NTT-AT
- Tenemos la tecnología para hacer crecer cristales en sustratos de silicio (Si), zafiro (Al2O3), carburo de silicio (SiC) y nitruro de galio (GaN), y podemos manejar todos los sustratos utilizados para sistemas de nitruro. Los estudios de desarrollo que utilizan múltiples tipos de sustrato se pueden llevar a cabo en paralelo. No desperdiciamos su valioso tiempo.
- Aceptamos pedidos desde prototipos a pequeña escala hasta producción en masa.
- También admitimos sustratos de silicio de gran diámetro de 8 pulgadas. Además, la fabricación de dispositivos y el análisis de materiales también son posibles mediante la colaboración con nuestros departamentos relacionados.
Ejemplo de aplicación
- Cargador rápido USB pequeño
- alumbrado público
- Dispositivos de alimentación para estaciones base móviles
- Dispositivo de energía automotriz
- Dispositivos de potencia para electrodomésticos
- Dispositivo resistente al medio ambiente
Estructura HEMT para aplicación de potencia (en Si de 6 pulgadas)
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| número de pieza | Límite de GaN | barrera de AlGaN | AlN | Canal | |
|---|---|---|---|---|---|
| Contenido | Espesor | Espaciador | |||
| SEE61K22227S20G | 2 nm | 0.22 | 27nm | 1 nm | 200nm |
| SEE61K22227S30G | 2 nm | 0.22 | 27nm | 1 nm | 300 nm |
| SEE61K22515S30G | 2 nm | 0.25 | 15nm | 1 nm | 300 nm |
| SEE61K22520S30G | 2 nm | 0.25 | 20nm | 1 nm | 300 nm |
| SEE61K22525S30G | 2 nm | 0.25 | 25nm | 1 nm | 300 nm |
| SEE61K23020S30G | 2 nm | 0.30 | 20nm | 1 nm | 300 nm |
| SEE61K21745N30G | 2 nm | 0.17 | 45nm | - | 300 nm |
| SEE61K22520N30G | 2 nm | 0.25 | 20nm | - | 300 nm |
| SEE61K22520N35G | 2 nm | 0.25 | 20nm | - | 350nm |
| SEE61K22520N40G | 2 nm | 0.25 | 20nm | - | 400nm |
| SEE61K22526N15G | 2 nm | 0.25 | 26nm | - | 150nm |
| SEE61K22526N20G | 2 nm | 0.25 | 26nm | - | 200nm |
| SEE61K22526N35G | 2 nm | 0.25 | 26nm | - | 350nm |
| SEE61K22527N35G | 2 nm | 0.25 | 27nm | - | 350nm |
| SEE61K23020N30G | 2 nm | 0.30 | 20nm | - | 300 nm |
| SEE61K02822S30G | - | 0.28 | 22nm | 1 nm | 300 nm |
| capa superior | |
|---|---|
| Materiales | GaN |
| Espesor | 2 (nm) o sin tapa |
| Barrera | |
| Materiales | AlGaN |
| Todo el contenido | 20~30 (%) |
| Espesor | 15~27 (nanómetro) |
| Canal | |
| Materiales | GaN |
| Espesor | 150~400 (nanómetro) |
| Buffer | |
| dopaje | C-dopaje |
| Espesor | ~3900 (nanómetro) |
| Sustrato | |
| Silicio | 1 mm de espesor |
| Características | |
| Resistencia de lámina: 350~400 ohmios/cuadrado (con espaciador AlN), 450~500 ohmios/cuadrado (sin espaciador AlN) Movilidad electrónica: ~1700 a 1900 cm2 /Vs FWHM (002): <800 segundos de arco FWHM (102): <1400 segundos de arco Tensión de ruptura: 800V – 1000V (dependiendo de la estructura del dispositivo) Valor de arqueamiento: < 50um |
|
Producto epitaxial de estructura AlGaN/GaN HEMT (ejemplo)
| capa superior | Material: GaN | |||
|---|---|---|---|---|
| dopado o no dopado | ||||
| Espesor: 0-5nm | ||||
| capa de barrera | Material: AlGaN con o sin espaciador de AlN | |||
| dopado o no dopado | ||||
| Contenido de Al: 10-50% | ||||
| Grosor: <~50nm | ||||
| capa amortiguadora | Material: (Al)GaN | |||
| Grosor: 1-3 μm | ||||
| Sustrato | Si | Zafiro | Sic | GaN |
| 2 a 8 pulgadas | 2 a 3 pulgadas | 2～6 inch | 2 a 4 pulgadas | |
Línea disponible (6 pulgadas y 8 pulgadas)
| on Si substrate | AlGaN/GaN HEMT structure | |
|---|---|---|
| 6 inch | 8 inch | |
| Límite de GaN | ✔ | ✔ |
| in-situ SiN (~5nm) | ✔ | ✔ |
| in-situ SiN (~40nm) | ✔ | ✔ |
|
p-GaN (~80nm)
(Mg: 2x1019 cm-3) |
✔ | ✔ |
descarga de catálogo
| Catálogo "InAlN/GaN HEMT Epi Wafer" | 824KB | Descargar PDF |
|---|---|---|
| Catálogo "OBLEAS EPITAXIALES DE GaN" (inglés) | 3.8MB | Descargar PDF |
Material de datos "Se espera que mejore el rendimiento de fabricación del dispositivo: oblea epitaxial de AlGaN/GaN de 8 pulgadas con excelente uniformidad"
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