rasgo
Imagen SEM de placa de zona de Fresnel
En la región de rayos X, donde el índice de refracción del material es aproximadamente igual a 1, a diferencia de la luz visible, no es posible enfocar la luz con una lente convexa, por lo que se utiliza una placa de zona de Fresnel (FZP) como enfoque. elemento.
El FZP de NTT-AT utiliza un patrón de Ta con alta verticalidad como material absorbente y una membrana de SiC con alta resistencia a la irradiación de rayos X como material de retención, y se usa ampliamente en instalaciones de radiación sincrotrón.
El FZP de NTT-AT utiliza un patrón de Ta con alta verticalidad como material absorbente y una membrana de SiC con alta resistencia a la irradiación de rayos X como material de retención, y se usa ampliamente en instalaciones de radiación sincrotrón.
Ejemplo de producción
FZP ultrafino: diámetro 250 µm, espesor de película de Ta 200 nm, ancho de la zona más externa 50 nm, espesor de membrana de SiC 2,0 µm
FZP de aspecto alto: diámetro 100 µm, espesor de la película de Ta 2 µm, ancho de la zona más externa 200 nm, espesor de la membrana SiN 2,0 µm
Especificaciones típicas
Diseñaremos según su energía solicitada, distancia focal, resolución, etc.
| Especificaciones típicas | |
|---|---|
| Ancho mínimo de la zona más externa y relación de aspecto | 50 nm (relación de aspecto 4), 200 nm (relación de aspecto 10) |
| diámetro máximo | 2 mm |
| material de la membrana | SiC o SiN, 0,2 µm - 2 µm |
| material absorbente | Ta, 0.1 µm - 2.0 µm |
| Dimensiones exteriores del marco Si | 10 mm x 10 mm x 1 mm de espesor |
(a) Sección FZP de rayos X (b) Membrana de SiC o SiN (c) Sustrato de Si (d) Absorbedor de Ta
Partes opcionales
tope del haz central
Absorbedor: Au, 30 µm de espesor, Membrana: SiC
Absorbedor: Au, 30 µm de espesor, Membrana: SiC
Agujerito
Material: Pt, 100 µm de espesor, diámetro del orificio: 50 um
Material: Pt, 100 µm de espesor, diámetro del orificio: 50 um
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