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Exemple de conception de miroir multicouche EUV

Exemple de conception d'un miroir multicouche pour 20 eV - 150 eV (longueur d'onde 60 nm - 8 nm)

Demandes en anglais

Miroir multicouche Ru/B4C (150 eV - 100 eV)

pour 150 eV

Graphique AOI=0 deg.
Réflectance de 33 %, bande passante de 3,1 eV
Graphique AOI = 45 degrés.
Réflectance 31 %, bande passante 1,9 eV

pour 120 eV

Graphique AOI=0 deg.
Réflectance 40 %, bande passante 2,2 eV
Graphique AOI = 45 degrés.
Réflectance 40 %, bande passante 4,5 eV

pour 100 eV

Graphique AOI=0 deg.
Réflectance 41 %, bande passante 3,3 eV
Graphique AOI = 45 degrés.
Réflectance 41 %, bande passante 6,6 eV

Miroir multicouche Mo/Si (95 eV - 70 eV)

pour 90 eV

Graphique AOI=0 deg.
Réflectance de 68 %, bande passante de 3,5 eV
Graphique AOI = 45 degrés.
Réflectance de 67 %, bande passante de 6,1 eV

pour 80 eV

Graphique AOI=0 deg.
Réflectance 61 %, bande passante 3,1 eV
Graphique AOI = 45 degrés.
60 % de réflexion, bande passante de 7,7 eV

Miroir multicouche Zr/AlSi (70 eV - 50 eV)

pour 70 eV

Graphique AOI=0 deg.
Réflectance 59 %, bande passante 2,8 eV
Graphique AOI = 45 degrés.
Réflectance 59 %, bande passante 4,4 eV

pour 60 eV

Graphique AOI=0 deg.
Réflectance 49 %, bande passante 3,3 eV
Graphique AOI = 45 degrés.
Réflectance 49 %, bande passante 6,3 eV

pour 50 eV

Graphique AOI=0 deg.
Réflectance 32 %, bande passante 4,9 eV
Graphique AOI = 45 degrés.
Réflectance 32 %, bande passante 9,6 eV

Miroir multicouche SiC/Mg (45 eV - 20 eV)

pour 40 eV

Graphique AOI=0 deg.
Réflectance 48 %, bande passante 2,5 eV
Graphique AOI = 45 degrés.
Réflectance 48 %, bande passante 3,0 eV

pour 30 eV

Graphique AOI=0 deg.
Réflectance de 44 %, bande passante de 3,1 eV
Graphique AOI = 45 degrés.
Réflectance de 45 %, bande passante de 3,8 eV

pour 20 eV

Graphique AOI=0 deg.
Réflectance 41 %, bande passante 3,1 eV
Graphique AOI = 45 degrés.
46% de réflexion

Spécifications standards du produit

Modèle standard EUVML-(a)-(b)-(c)-(d)-(e)(f)
(a) Matériau de film multicouche Ru/B4C, Mo/Si, Zr/AlSi, SiC/Mg
(b) Type réfléchissant H : haute réflectivité, N : bande étroite, B : large bande
(c) Angle d'incidence 0 degrés - 60 degrés
(d) énergie centrale 20 eV - 150 eV (60 nm - 8 nm)
(b) Taille du substrat 1025 : 1 pouce de diamètre x 0,25 pouce d'épaisseur
0525 : 0,5" de diamètre x 0,25" d'épaisseur
(c) Type de substrat F : plat, C : concave (rayon de courbure 100 mm - 3000 mm)

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