分析手法から探す
| 分析手法 | 得られる情報 | 適用例 | 分析元素 | 検出限度濃度 |
|---|---|---|---|---|
|
ICP-MS 誘導結合プラズマ質量分析 |
高感度元素分析 ・溶液の分析 ・破壊分析 |
Siウェハ上の微量金属、環境中の微量金属・純水中の不純物分析 | ハロゲン、不活性ガス、H,C,N,Oを除く元素 |
ppt～ （測定対象による） |
|
IC イオンクロマトグラフ分析 |
高感度な溶液の分析 イオンの定性、定量分析 |
クリーンルーム雰囲気調査 | 陰イオン、陽イオン、有機酸イオン |
ppt～ppm （測定対象による） |
|
TXRF 全反射蛍光X線分析 |
高感度元素分析 ・非破壊 ・非接触 |
ウェハ表面の汚染 Si基板以外の化合物半導体（ｻﾌｧｲｱ、SiC、GaNなど) |
Na～U | 109atoms/cm2 |
|
GC-MS ガスクロマトグラフ質量分析 |
有機化合物の定性・定量、 構造解析 |
有機化合物の同定、構造決定、CR中の有機物分析 | ハロゲン、不活性ガス、H,C,N,Oを除く元素 |
ppb～ （測定対象による） |
|
XRF 蛍光X線分析 |
元素分析 | 薄膜・粉体・バルク組成定性分析 | B～U | ～0.01％ |
|
ICP-AES ICP発光分析 |
微量元素分析、 多元素分析 |
各種材料、薄膜の組成分析 | ハロゲン、不活性ガス、H,C,N,Oを除く元素 |
ppb～ （測定対象による） |
主な保有装置
分析手法選択の参考になさってください。
主な分析メニューから探す
- SiC（炭化ケイ素）基板表面上の極微量金属汚染分析
- 弊社ではSiC（炭化ケイ素）基板表面の極微量金属汚染を全反射蛍光X線分析（TXRF)、誘導結合型プラズマ質量分析（ICP-MS）にて迅速、高感度に評価出来ます。
- Siウエハ表面上の金属汚染分析
- 貴金属元素を対象とした汚染評価において、回収が難しいとされる金（Au）、銀（Ag）、銅（Cu）やパラジウム（Pd）、白金（Pt）、ロジウム（Rh）、イリジウム（Ir）、ルテニウム（Ru）などの貴金属元素を、高い回収率で回収する技術を確立しています。
- Siウエハ、フォトマスク基板表面に付着したイオン成分の評価
- 基板表面に付着したイオン成分の評価を行います。
- クリーンルームエアの分析
- クリーンルーム空気中の分子状汚染物質（AMC）の調査を行います。
- 環境調査・汚染調査サービス
-
放射性物質や有害物質で汚染されていないかチェックを行います。
■調査メニュー
放射性物質、水質調査、 大気調査、 土壌調査、 騒音・振動調査、 悪臭調査、 作業環境測定、 アスベスト調査
分析手法と検出感度、サイズ（イメージ）
閉じる