X射线光栅

特征

NTT-AT用于 X 射线 Talbot 成像的相位光栅和吸收光栅基于高纵横比 Si 蚀刻技术和 Au 电镀技术制造，与传统光刻胶光栅相比，具有足够高的 X 射线强度，实现了耐辐射性。 它还减少了由于碎片的产生而导致的测量环境的恶化。

• 位相格子:具有低粗糙度、高垂直性的Si结构体
• 吸收格子:在具有低粗糙度、高垂直性的Si构造中埋入的镀Au吸收体

标准规格

	吸收晶格	相位栅
材料	吸收部分:Au,透过部分:Si	相位调制单元:Si
薄膜	Si,厚度50μm	Si,厚度50μm
俯仰/高度	3 μm / 10 μm	2 μm / 20 μm
最大区域	10 mm见方	40 mm见方

※产品可以定制。

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