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基於GaN的電源裝置LED路燈

配備採用NTT研究所氮化鎵 (GaN) 磊晶技術的FET

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画像 左:街路灯のイメージ 右:実際の電源ユニットの写真

待機功耗大幅降低,節能效果高
配備 GaN 的 LED 路燈有望實現脫碳社會

用LED燈代替鈉燈可以降低年功耗,但與配備GaN器件的電源一起使用將產生很高的功耗降低效果。即使您已經擁有 LED 路燈,也可以節省更多。根據場景的不同,還可以控制亮度、打開和關閉燈光等。 CO 2減排措施比簡單更換 LED 照明領先一步是可行的。

2023年8月7日,日本EE Times發表採訪文章。
搭載GaN的LED路燈功耗降低37%,還用1000個NTT-AT路燈進行了演示實驗
 

 

基於GaN的電源裝置LED路燈的三個特徵

1. 功耗大幅降低
由於GaN器件能量轉換效率高,它們通過替代傳統鈉燈來降低功耗。

2、照明中央控制
支持DALI *1標準,可實現照明的集中控制。可以減少不必要的照明,提高節能效果。

3、服務可擴展性
該服務可以靈活擴展,例如照明亮度控制和安全功能。

※1 DALI:數字可尋阯照明接口照明控制的國際標準


GaN(氮化鎵)是寬帶隙半導體材料之一,具有極其堅硬、機械穩定、熱容大、導熱率高等特點。
通過使用GaN作為半導體材料,可以實現比傳統的矽器件具有更高的能量轉換效率、節能和CO 2減少效果的器件。
 

基本規格

基於GaN的電源

輸出電流 1A-2A
輸出電壓 24VDC-48VDC
輸出功率 96W
待機功率 <0.5W
輸入電壓 100 VAC~305 VAC
輸入頻率 47 Hz~63 Hz
平均效率 >90% (230 VAC)
PF >0.95 (230 VAC/50Hz Full load)
輸出數 1
控制方式 DALI Dimming Protocol
尺寸/重量 199 mm × 63 mm × 35.5 mm / 850 g

LED路燈部分

總光通量 13,500 lm
梁角 150 x 70度 (可選)
輸入電壓 90 VAC-305 VAC
功耗 90 W
效率 150 lm / W
色溫 5,000 K
壽命 60,000 h (85%)
防水防塵 IP66
支持的插座 NEMA / Zhaga (book18)
安裝桿直徑 80毫米 (可單獨使用60毫米-80毫米轉換適配器)
尺寸 524mm × 312mm × 98mm / 4.7kg

※規格如有變更,恕不另行通知。

通過切換到GaN半導體提高轉換效率

通過在半導體材料中使用GaN,與傳統的硅器件相比,可以實現能量轉換效率更高,節能和二氧化碳減少效果更好的器件。

図:現在のSiのインバーターでは、直流電力から交流電力に変換する際、5%損失します。
グラフ:GaNを適用することにより、損失が約1/7に抑えられます。

引自一般公司GaN聯盟網頁

將100W的直流電轉換為交流電時,Si會產生5W的損耗,但通過應用GaN,可以將損耗控制在0.75W。

關於GaN產品和技術

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