氮化物半導體外延片

什麽是氮化物半導體外延片?

使用氮化物半導體的功率器件有望成為支持未來低碳社會的綠色器件。
NTT-AT以其氮化物半導體外延片製造技術為早日實現節能做出了貢獻。

以氮化鎵 (GaN) 為代表的氮化物半導體有望成為下一代功率器件，因為它能夠以高功率，高耐壓，高頻和低損耗的方式工作，超出了目前廣泛使用的Si功率器件的極限。

它具有在硅 (Si) ，藍寶石 (Al 2 O 3) ，硅碳化物 (SiC) ，氮化鎵 (GaN) 基板上晶體生長的技術，並且可以用於氮化物係統中使用的所有基板。同時進行使用多種基板品種的開發探討。不浪費客人寶貴的時間。
從少量的試制到量產，我們都承接。
也支持大口徑8英寸硅基板。通過與本公司相關部門的合作，還可以進行設備制造和材料分析。

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Part Number	GaN cap	AlGaN Barrier		AlN	Channel
Part Number	GaN cap	Content	Thickness	Spacer	Channel
SEE61K22227S20G	2nm	0.22	27nm	1nm	200nm
SEE61K22227S30G	2nm	0.22	27nm	1nm	300nm
SEE61K22515S30G	2nm	0.25	15nm	1nm	300nm
SEE61K22520S30G	2nm	0.25	20nm	1nm	300nm
SEE61K22525S30G	2nm	0.25	25nm	1nm	300nm
SEE61K23020S30G	2nm	0.30	20nm	1nm	300nm
SEE61K21745N30G	2nm	0.17	45nm	-	300nm
SEE61K22520N30G	2nm	0.25	20nm	-	300nm
SEE61K22520N35G	2nm	0.25	20nm	-	350nm
SEE61K22520N40G	2nm	0.25	20nm	-	400nm
SEE61K22526N15G	2nm	0.25	26nm	-	150nm
SEE61K22526N20G	2nm	0.25	26nm	-	200nm
SEE61K22526N35G	2nm	0.25	26nm	-	350nm
SEE61K22527N35G	2nm	0.25	27nm	-	350nm
SEE61K23020N30G	2nm	0.30	20nm	-	300nm
SEE61K02822S30G	-	0.28	22nm	1nm	300nm

Cap Layer
Material	GaN
Thickness	2 (nm) or No cap
Barrier
Material	AlGaN
Al content	20~30 (%)
Thickness	15~ 27 (nm)
Channel
Material	GaN
Thickness	150~400 (nm)
Buffer
Doping	C-doping
Thickness	~3900 (nm)
Substrate
Silicon	1mm thickness
Features
薄層電阻：350~400 ohm/sq. (w/ AlN spacer), 450~500 ohm/sq. (w/o AlN spacer) 電子遷移率：~1700 至 1900 ^cm2 /Vs FWHM (002)：<800 弧秒 FWHM (102)：<1400 弧秒擊穿電壓：800V – 1000V（取決於器件結構）彎曲值：< 50um

Cap Layer	Material: GaN
	doped or un-doped
	Thickness: 0~5 nm
Barrier Layer	Material: AlGaN with or without AlN spacer
	doped or un-doped
	Al-content:10~50%
	厚度：<~50nm
Buffer Layer	Material: (Al)GaN
Buffer Layer	Thickness: 1~3 μm
Substrate	Si	Sapphire	SiC	GaN
Substrate	2~8 inch	2~3 inch	2～6 inch	2~4 inch

InAlN/GaN HEMT外延片目錄	824KB	PDF下載
GaN EPITAXIAL WAFERS目錄 (英文)	3.8MB	PDF下載

資料《有望提升器件製造良率——均勻性極佳的8英寸AlGaN/GaN外延片》
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