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GaN搭載 電源ユニット LED街路灯

NTT研究所の窒化ガリウム(GaN)エピウェハ技術を用いたFETを搭載

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画像 左:街路灯のイメージ 右:実際の電源ユニットの写真

高い省エネ効果で待機電力を大幅削減
脱炭素社会に期待される、GaN搭載のLED街灯

ナトリウム灯からLED灯に交換すると年間の消費電力を削減できますが、GaNデバイスを搭載した電源と併用することで高い電力削減効果を得られます。既にLED街灯を導入している場合でも、さらに電力を削減することが可能です。シーンに応じて、明るさを変える、点灯・消灯するなどのコントロールもできます。単純なLED照明への置き換えから一歩進んだCO2削減施策が可能です。

2023年8月7日 EE Times Japan に取材記事が掲載されました。
GaN搭載のLED街灯で消費電力を37%削減、NTT-AT 街灯1000本で実証実験も実施
 

 

GaN搭載 電源ユニット LED街路灯 3つの特徴

1. 電力消費を大幅削減
GaNデバイスはエネルギー変換効率が高いため、従来のナトリウム灯からの置換で消費電力を削減します。

2. 照明の集中コントロール
DALI※1 規格対応で、照明の集中管理が可能です。無駄な点灯を削減して省エネ効果をアップできます。

3. サービスの拡張性
照明の明るさコントロールやセキュリティ機能搭載など、柔軟にサービス拡張の対応ができます。

※1 DALI:Digital Addressable Lighting Interface 照明制御の国際標準規格


GaN(窒化ガリウム)は、ワイドバンドギャップ半導体材料の一つで、非常に硬く、機械的に安定で、熱容量が大きく、 熱伝導率が高いという特徴があります。
半導体材料にGaNを用いることで、従来のシリコンデバイスと比較してエネルギー変換効率が高く省エネ・CO2削減 効果に優れたデバイスを実現できます。
 

基本仕様

GaN搭載電源部

出力電流 1A-2A
出力電圧 24VDC-48VDC
出力電力 96W
待機電力 <0.5W
入力電圧 100 VAC~305 VAC
入力周波数 47 Hz~63 Hz
平均効率 >90% (230 VAC)
PF >0.95 (230 VAC/50Hz Full load)
出力数 1
制御方式 DALI Dimming Protocol
寸法/重量 199 mm × 63 mm × 35.5 mm / 850 g

LED街灯部

全光束 13,500 lm
ビーム角度 150 × 70 度 (オプションあり)
入力電圧 90 VAC-305 VAC
消費電力 90 W
効率 150 lm / W
色温度 5,000 K
寿命 60,000 h (85%)
防水防塵 IP66
対応ソケット NEMA / Zhaga (book18)
取付ポール直径 80 mm (別途 60 mm - 80 mm 変換アダプタ 使用可)
寸法 524mm × 312mm × 98mm / 4.7kg

※ 仕様は予告なく変更することがあります。

GaN半導体への切り替えによる変換効率向上

半導体材料にGaNを用いることで、従来のシリコンデバイスと比較してエネルギー変換効率が高く省エネ・CO2削減効果に優れたデバイスを実現できます。

図:現在のSiのインバーターでは、直流電力から交流電力に変換する際、5%損失します。
グラフ:GaNを適用することにより、損失が約1/7に抑えられます。

一般社団法人 GaNコンソーシアム Webページより引用

100Wの直流電力を交流電力に変換する場合、Siは5Wの損失が発生してしまいますが、 GaNを適用することで損失を0.75Wに抑えることができます。

GaN製品・技術について

GaN搭載 USB急速充電器
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窒化物半導体エピタキシャルウェハ
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