特徴
Mo/Si多層膜ミラー
光子エネルギー10 eV - 1 keV(波長120 nm - 1.2 nm)のEUV光を高 効率で反射させるEUVミラーをご提供いたします。軟X線やXUV光とも呼ばれるこのエネルギー帯域用ミラーは、EUVリソグラフィなどの産業応用、高次高調波を利用した超高速物理・化学研究、天体物理応用、軟X線プラズマ観測など幅広い分野で用いられています。
主に多層膜ミラーは直入射用、単層膜ミラーは斜入射用として用いられます。
主に多層膜ミラーは直入射用、単層膜ミラーは斜入射用として用いられます。
設計例
Mo/Si多層膜ミラー、入射角0度
Ru単層膜ミラー、入射角80度
代表的な仕様
ご要望に応じた基板形状設計、コーティング設計をいたします。
代表的な仕様 | |
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最大サイズ | 直径3 mm - 450 mm |
ミラー形状 | 平面、凹面、円筒面、放物面、回転楕円面、トロイダル面 |
多層膜材料 | Ru/B4C, Mo/Si, Zr/AlSi, SiC/Mg, W/B4C |
単層膜材料 | Ru, B4C, C, Ni, Au |
資料ダウンロード
Multilayer Coating for Extreme Ultraviolet Experiments (英語・ white paper) | 615KB | ダウンロード |
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EUV多層膜ミラー設計例
20 eV - 150 eV(波長60 nm - 8 nm)用多層膜ミラーの設計例です。
Ru/B4C多層膜ミラー(150 eV - 100 eV)
150 eV用
反射率: 33%, バンド幅: 3.1 eV
反射率: 31%, バンド幅: 1.9 eV
120 eV用
反射率: 40%, バンド幅: 2.2 eV
反射率: 40%, バンド幅: 4.5 eV
100 eV用
反射率: 41%, バンド幅: 3.3 eV
反射率: 41%, バンド幅: 6.6 eV
Mo/Si多層膜ミラー(95 eV - 70 eV)
90 eV用
反射率: 68%, バンド幅: 3.5 eV
反射率: 67%, バンド幅: 6.1 eV
80 eV用
反射率: 61%, バンド幅: 3.1 eV
反射率: 60%, バンド幅: 7.7 eV
Zr/AlSi多層膜ミラー(70 eV - 50 eV)
70 eV用
反射率: 59%, バンド幅: 2.8 eV
反射率: 59%, バンド幅: 4.4 eV
60 eV用
反射率: 49%, バンド幅: 3.3 eV
反射率: 49%, バンド幅: 6.3 eV
50 eV用
反射率: 32%, バンド幅: 4.9 eV
反射率: 32%, バンド幅: 9.6 eV
SiC/Mg多層膜ミラー(45 eV - 20 eV)
40 eV用
反射率: 48%, バンド幅: 2.5 eV
反射率: 48%, バンド幅: 3.0 eV
30 eV用
反射率: 44%, バンド幅: 3.1 eV
反射率: 45%, バンド幅: 3.8 eV
20 eV用
反射率: 41%, バンド幅: 3.1 eV
反射率: 46%
EUV多層膜ミラー 標準品仕様
標準型式 | EUVML-(a)-(b)-(c)-(d)-(e)(f) |
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(a)多層膜材料 | Ru/B4C, Mo/Si, Zr/AlSi, SiC/Mg |
(b)反射タイプ | H: 高反射率, N: ナローバンド, B: ブロードバンド |
(c)入射角 | 0度 - 60度 |
(d)中心エネルギー | 20 eV - 150 eV (60 nm - 8 nm) |
(b)基板サイズ |
1025: 直径1インチ×厚み0.25インチ 0525: 直径0.5インチ×厚み0.25インチ |
(c)基板タイプ | F: 平面, C: 凹面(曲率半径100 mm - 3000 mm) |
EUV単層膜ミラー設計例
10 eV - 1 keV(波長120 nm - 1.2 nm)用単層膜ミラーの設計例です。Auミラー
Niミラー
Ruミラー
SiCミラー
B4Cミラー
EUV単層膜ミラー 標準品仕様
標準型式 | EUVSM-(a)-(b)(c) |
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(a)コーティング材料 | Au, Ni, Ru, B4C, SiC |
(b)基板サイズ |
1025: 直径1インチ×厚み0.25インチ 0525: 直径0.5インチ×厚み0.25インチ |
(c)基板タイプ | F: 平面, C: 凹面(曲率半径100 mm - 3000 mm) |
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