特徴
W/B4C多層膜偏光子
物質の屈折率が1に近いEUV領域や軟X線領域ではBrewster's角は45度近辺にあります。そのため45度近辺用の多層膜ミラーはs偏光のみに高い反射率を持ち偏光子としても機能します。 この特性を利用し、およそ30 eVから800 eV(1.5 nm - 40 nm)で十分な効率を持つ多層膜偏光子ご提供いたします。
これらの多層膜偏光子は、放射光や高次高調波を用いた物性実験用途の他、EUVリソグラフィなどの産業応用向け基礎研究にもお使いいただいております。
これらの多層膜偏光子は、放射光や高次高調波を用いた物性実験用途の他、EUVリソグラフィなどの産業応用向け基礎研究にもお使いいただいております。
設計例
実線:s偏光, 破線:p偏光
エネルギー60 eV用偏光子
エネルギー90 eV用偏光子
依存性エネルギー150 eV用偏光子
エネルギー300 eV用偏光子
代表的な仕様
ご要望に応じた基板形状設計、コーティング設計をいたします。
代表的な仕様 | |
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基盤サイズ | 10 mm x 10 mm x 1 mm厚 |
基板材料 | Si |
多層膜材料 | SiC/Mg, Zr/AlSi, Mo/Si, Ru/B4C, W/B4C |
対応エネルギー領域 | 30 eV - 800 eV |
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