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窒化物半導体エピタキシャルウェハ

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窒化物半導体エピタキシャルウエハ

窒化物半導体エピタキシャルウェハとは?

窒化物半導体を用いたパワーデバイスは、これからの低炭素社会を支えるグリーンデバイスとして期待されています。
NTT-ATは窒化物半導体エピタキシャルウエハの製造技術により、省エネルギー化の早期実現に貢献します。

窒化ガリウム(GaN)に代表される窒化物半導体は、現在広く用いられているSiパワーデバイスの限界を超えた高出力、高耐圧、高周波、低損失の動作が可能なため、次世代パワーデバイスとして大きく期待されています。

パワーデバイスの開発に、こんな課題をお持ちではありませんか?

  • 使用する基板種が決まっていない、様々な基板種を試したい。
  • 少量多品種での試作をしつつ、将来の量産体制も確保したい。
  • 当然、大口径サイズも必要。

NTT-ATの窒化物半導体エピタキシャルウェハなら

  • シリコン(Si)、サファイア(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)基板上に結晶成長する技術を有しており、窒化物系に使われるすべての基板に対応できます。複数の基板種を用いた開発検討を併行して進められます。お客様の大切な時間を無駄にしません。
  • 少量の試作から量産まで承ります。
  • 大口径8インチシリコン基板にも対応しております。 また当社関連部門との連携によって、デバイス作製や材料分析も可能です。

適用例

  • 携帯基地局用パワーデバイス
  • 車載用パワーデバイス
  • 家電用パワーデバイス
  • 耐環境デバイス

HEMT structure for Power application (on 6 inch Si)

Low cost and fast delivery.
Various HEMT structures available.
Part Number Si Sub.thickness GaN cap AlGaN Barrier AlN Channel
Content Thickness Spacer
SEE61K22025S25G 1mmt 2nm 0.20 25nm 1nm 250nm
SEE61K22227S20G 1mmt 2nm 0.22 27nm 1nm 200nm
SEE61K22227S30G 1mmt 2nm 0.22 27nm 1nm 300nm
SEE61K22515S30G【NEW】 1mmt 2nm 0.25 15nm 1nm 300nm
SEE61K22520N30G【NEW】 1mmt 2nm 0.25 20nm - 300nm
SEE61K22520N35G 1mmt 2nm 0.25 20nm - 350nm
SEE61K22520S30G【NEW】 1mmt 2nm 0.25 20nm 1nm 300nm
SEE61K22520N40G 1mmt 2nm 0.25 20nm - 400nm
SEE61K22525S30G【NEW】 1mmt 2nm 0.25 25nm 1nm 300nm
SEE61K22526N15G【NEW】 1mmt 2nm 0.25 26nm - 150nm
SEE61K22526N20G【NEW】 1mmt 2nm 0.25 26nm - 200nm
SEE61K22526N35G 1mmt 2nm 0.25 26nm - 350nm
SEE61K22527N35G 1mmt 2nm 0.25 27nm - 350nm
SEE61K23020S30G【NEW】 1mmt 2nm 0.30 20nm 1nm 300nm
SEE61K23020N30G【NEW】 1mmt 2nm 0.30 20nm - 300nm
SEE61K02822S30G【NEW】 1mmt No cap 0.28 22nm 1nm 300nm
p1002_04_01.jpg
p1002_05.jpg
Cap Layer
Material GaN
Thickness 2 (nm) or No cap
Barrier
Material AlGaN
Al content 20~30 (%)
Thickness 15~ 27 (nm)
Channel
Material GaN
Thickness 150~400 (nm)
Buffer
Doping C-doping
Thickness ~3900 (nm)
Substrate
Silicon 1mm thickness
Features
Sheet resistance: 350~400 ohm/sq. (w/ AlN spacer), 450~500 ohm/sq. (w/o AlN spacer)
Electron Mobility: ~ 1700 to 1900 cm2/Vs
FWHM (002): <800 arcsec
FWHM (102): <1400 arcsec
Breakdown voltage: 800 V – 1000 V (depending on the device structure)
Bowing value: < 50 um

AlGaN/GaN HEMT構造エピ製品(一例)

Cap Layer Material: GaN
doped or un-doped
Thickness: 0~5 nm
Barrier Layer Material: AlGaN with or without AlN spacer
doped or un-doped
Al-content:10~50%
Thickness: < ~50 nm
Buffer Layer Material: (Al)GaN
Thickness: 1~3 μm
Substrate Si Sapphire SiC GaN
2~8 inch 2~3 inch 2~4 inch 2~4 inch

カタログダウンロード

「InAlN/GaN HEMTエピウエハ」カタログ 824KB
「6インチSi基板上AlGaN/GaN HEMTエピウエハ」カタログ 445KB
製品検査データ例 368KB

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