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窒化物半導体エピタキシャルウェハ

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窒化物半導体エピタキシャルウエハ

窒化物半導体エピタキシャルウェハとは?

窒化物半導体を用いたパワーデバイスは、これからの低炭素社会を支えるグリーンデバイスとして期待されています。
NTT-ATは窒化物半導体エピタキシャルウエハの製造技術により、省エネルギー化の早期実現に貢献します。

窒化ガリウム(GaN)に代表される窒化物半導体は、現在広く用いられているSiパワーデバイスの限界を超えた高出力、高耐圧、高周波、低損失の動作が可能なため、次世代パワーデバイスとして大きく期待されています。

パワーデバイスの開発に、こんな課題をお持ちではありませんか?

  • 使用する基板種が決まっていない、様々な基板種を試したい。
  • 少量多品種での試作をしつつ、将来の量産体制も確保したい。
  • 当然、大口径サイズも必要。

NTT-ATの窒化物半導体エピタキシャルウェハなら

  • シリコン(Si)、サファイア(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)基板上に結晶成長する技術を有しており、窒化物系に使われるすべての基板に対応できます。複数の基板種を用いた開発検討を併行して進められます。お客様の大切な時間を無駄にしません。
  • 少量の試作から量産まで承ります。
  • 大口径8インチシリコン基板にも対応しております。 また当社関連部門との連携によって、デバイス作製や材料分析も可能です。

適用例

  • 携帯基地局用パワーデバイス
  • 車載用パワーデバイス
  • 家電用パワーデバイス
  • 耐環境デバイス

HEMT structure for Power application (on 6 inch Si)

Low cost and fast delivery.
Various HEMT structures available.
Part Number AlGaN Barrier AlN Channel Back Barrier
Content Thickness Spacer
SEE61K22025S25G 0.20 25nm 1nm 250nm -
SEE61K22227S20G 0.22 27nm 1nm 200nm -
SEE61K22227S20A 0.22 27nm 1nm 200nm
SEE61K22227S30A 0.22 27nm 1nm 300nm
SEE61K22227S30G 0.22 27nm 1nm 300nm -
SEE61K22520S30G 0.25 20nm 1nm 300nm -
SEE61K22520N40G 0.25 20nm - 400nm -
SEE61K22520N35G 0.25 20nm - 350nm -
SEE61K22520N30G 0.25 20nm - 300nm -
SEE61K22526N35A 0.25 26nm - 350nm
SEE61K22526N35G 0.25 26nm - 350nm -
SEE61K22527N35G 0.25 27nm - 350nm -
p1002_04.jpg
 
p1002_05.jpg
Cap Layer
Material GaN
Thickness 2 (nm)
Barrier
Material AlGaN
Al content 20~25 (%)
Thickness 20~ 27 (nm)
Channel
Material GaN
Thickness 200~400 (nm)
Buffer
Doping C-doping
Thickness ~3900 (nm)
Substrate
Silicon 1mm thickness
Features
Sheet resistance: 350~400 ohm/sq. (w/ AlN spacer), 450~500 ohm/sq. (w/o AlN spacer)
Electron Mobility: ~ 1700 to 1900 cm2/Vs
FWHM (002): <800 arcsec
FWHM (102): <1400 arcsec
Breakdown voltage: 800 V – 1000 V (depending on the device structure)
Bowing value: < 50 um

AlGaN/GaN HEMT構造エピ製品(一例)

Cap Layer Material: GaN
doped or un-doped
Thickness: 0~5 nm
Barrier Layer Material: AlGaN with or without AlN spacer
doped or un-doped
Al-content:10~50%
Thickness: < ~50 nm
Buffer Layer Material: (Al)GaN
Thickness: 1~3 μm
Substrate Si Sapphire SiC GaN
2~8 inch 2~3 inch 2~4 inch 2~4 inch

カタログダウンロード

「InAlN/GaN HEMTエピウエハ」カタログ 824KB
「6インチSi基板上AlGaN/GaN HEMTエピウエハ」カタログ 445KB
製品検査データ例 368KB

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