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窒化物半導体エピタキシャルウェハ

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窒化物半導体エピタキシャルウエハ

窒化物半導体エピタキシャルウェハとは?

窒化物半導体を用いたパワーデバイスは、これからの低炭素社会を支えるグリーンデバイスとして期待されています。
NTT-ATは窒化物半導体エピタキシャルウエハの製造技術により、省エネルギー化の早期実現に貢献します。

窒化ガリウム(GaN)に代表される窒化物半導体は、現在広く用いられているSiパワーデバイスの限界を超えた高出力、高耐圧、高周波、低損失の動作が可能なため、次世代パワーデバイスとして大きく期待されています。

パワーデバイスの開発に、こんな課題をお持ちではありませんか?

  • 使用する基板種が決まっていない、様々な基板種を試したい。
  • 少量多品種での試作をしつつ、将来の量産体制も確保したい。
  • 当然、大口径サイズも必要。

NTT-ATの窒化物半導体エピタキシャルウェハなら

  • シリコン(Si)、サファイア(Al2O3)、シリコンカーバイト(SiC)、窒化ガリウム(GaN)基板上に結晶成長する技術を有しており、窒化物系に使われるすべての基板に対応できます。複数の基板種を用いた開発検討を併行して進められます。お客様の大切な時間を無駄にしません。
  • 少量の試作から量産まで承ります。
  • 大口径8インチシリコン基板にも対応しております。 また当社関連部門との連携によって、デバイス作製や材料分析も可能です。

適用例


USB小型急速充電器 使用イメージ
 

HEMT structure for Power application (on 6 inch Si)

即納可能製品あります。お問い合わせください。

ご希望の Part Number をクリックすると、お問い合わせフォームが表示されます。
お手数ですが、ご要望欄に 【Part Number】【数量】 の記載をお願いいたします。

Part Number GaN cap AlGaN Barrier AlN Channel
Content Thickness Spacer
SEE61K22227S20G 2nm 0.22 27nm 1nm 200nm
SEE61K22227S30G 2nm 0.22 27nm 1nm 300nm
SEE61K22515S30G 2nm 0.25 15nm 1nm 300nm
SEE61K22520S30G 2nm 0.25 20nm 1nm 300nm
SEE61K22525S30G 2nm 0.25 25nm 1nm 300nm
SEE61K23020S30G 2nm 0.30 20nm 1nm 300nm
SEE61K21745N30G 2nm 0.17 45nm - 300nm
SEE61K22520N30G 2nm 0.25 20nm - 300nm
SEE61K22520N35G 2nm 0.25 20nm - 350nm
SEE61K22520N40G 2nm 0.25 20nm - 400nm
SEE61K22526N15G 2nm 0.25 26nm - 150nm
SEE61K22526N20G 2nm 0.25 26nm - 200nm
SEE61K22526N35G 2nm 0.25 26nm - 350nm
SEE61K22527N35G 2nm 0.25 27nm - 350nm
SEE61K23020N30G 2nm 0.30 20nm - 300nm
SEE61K02822S30G - 0.28 22nm 1nm 300nm
p1002_04_01.jpg
p1002_05.jpg
Cap Layer
Material GaN
Thickness 2 (nm) or No cap
Barrier
Material AlGaN
Al content 20~30 (%)
Thickness 15~ 27 (nm)
Channel
Material GaN
Thickness 150~400 (nm)
Buffer
Doping C-doping
Thickness ~3900 (nm)
Substrate
Silicon 1mm thickness
Features
Sheet resistance: 350~400 ohm/sq. (w/ AlN spacer), 450~500 ohm/sq. (w/o AlN spacer)
Electron Mobility: ~ 1700 to 1900 cm2/Vs
FWHM (002): <800 arcsec
FWHM (102): <1400 arcsec
Breakdown voltage: 800 V – 1000 V (depending on the device structure)
Bowing value: < 50 um

AlGaN/GaN HEMT構造エピ製品(一例)

Cap Layer Material: GaN
doped or un-doped
Thickness: 0~5 nm
Barrier Layer Material: AlGaN with or without AlN spacer
doped or un-doped
Al-content:10~50%
Thickness: < ~50 nm
Buffer Layer Material: (Al)GaN
Thickness: 1~3 μm
Substrate Si Sapphire SiC GaN
2~8 inch 2~3 inch 2~6 inch 2~4 inch

ご提供可能なラインアップ( 6 inch & 8 inch )

on Si substrate AlGaN/GaN HEMT structure
6 inch 8 inch
GaN cap
in-situ SiN (~5nm)
in-situ SiN (~40nm)
p-GaN  (~80nm)
(Mg: 2x1019 cm-3)

カタログダウンロード

「InAlN/GaN HEMTエピウエハ」カタログ 824KB
「GaN EPITAXIAL WAFERS」カタログ(英語) 3.8MB
データ資料 「デバイス製造歩留まり向上が期待されます - 優れた均一性を持つ 8インチ AlGaN/GaN エピタキシャルウェハ」
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※ 本製品は、経済産業省の輸出管理令別表第一の7(18)に該当し、輸出には経済産業省の許可が必要です。
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