ウエハの汚染分析

汚染分布からトータル汚染量評価まで、ニーズに合わせて最適手法をご提案いたします。
ウェハ全面、一部分、端部等、希望の測定範囲をご相談下さい。

ウェハ表面に存在する汚染はデバイス特性を劣化させ、デバイスの製造歩留まりに大きな影響を与えます。
これらの汚染は、ウエハの製造段階で既に存在するものや、デバイス製造プロセスで付着するものがあり、汚染チェックをすることは防汚管理において重要です。また、デバイスのデザインルールは年々厳しくなり、製造プロセスにおける清浄度の要求レベルも上がってきています。

お客様の目的に合わせて、次の4つの評価手法から最適な手法をご提案いたします。

全反射蛍光X線分析（TXRF)

全反射蛍光X線（Total Reflection X-ray Fluorescence）分析（以下、TXRFと表記）は、デバイス特性に影響する汚染元素を前処理無しで高感度（10⁹atoms/cm²～）に分析することができます。

特徴

• 10⁹atoms/cm²～ の高感度分析です。
• 多元素同時分析ができます。（同時分析可能な元素の組み合わせはお問合せ下さい）
• シリコンウエハ以外の異種基板や膜付基板等の対応ができます。（可能な基板の種類はお問合せ下さい）
• 非破壊・非接触分析　（X線照射）

→全反射蛍光X線分析（TXRF)について、より詳しい情報はこちら

全反射蛍光X線分析　全面高速マッピング　(Sweeping-TXRF）

ウエハ全面を高速で分析し、詳細なマッピングデータから局所位置の汚染元素及び汚染量を分析することができます。
プロセス汚染のルーチンモニタリング、トラブルシューティング、製造装置／検査装置立上げの汚染チェックなどに最適です。

特徴

• 10¹⁰atoms/cm²オーダーの汚染から検出できます。　
• 300 mmウエハまで対応できます。
• 測定点数は任意の選択ができますのでご相談下さい。
• Sweeping-TXRFの結果を元に、各測定点を従来のTXRFで高精度測定する事ができます。

→全反射蛍光X線分析　全面高速マッピング　(Sweeping-TXRF)　より詳しい情報はこちら

気相分解法(VPD)-誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS) 

気相分解法（VPD）-誘導結合プラズマ質量分析（ICP-MS）（以下、VPD-ICP-MSと表記）によって、高精度の分析ができます。
シリコンウエハ表面全面、あるいは裏面全面に加え、任意の局所表面箇所やウエハエッジ部、ベベル部、ノッチ部を選択できます。
 

特徴

• シリコンウエハ表面の汚染分析ができます。
• 1×10⁸atoms/cm²オーダーの汚染から検出できます（300ｍｍウエハの場合）。
• 4インチ～12インチウエハまで対応できます。
• 測定箇所は任意の選択ができますのでご相談下さい。

→気相分解法(VPD)-誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS) について、より詳しい情報はこちら

イオン分析 基板表面に付着したイオン成分の評価

自動回収装置を用いることで、各種基板表面上の付着イオンを、これまで以上に高感度・高精度に分析することや、鏡面・裏面における任意箇所の分析も可能になりました。

特徴 

• 10¹⁰molecule/cm²オーダーの汚染から検出できます。
• シリコンウエハ以外にも、フォトマスク、石英ガラスなどの基板にも対応できます。（可能な基板の種類・サイズはお問い合わせ下さい）
• 測定箇所は任意に選択ができますのでご相談下さい。

→ イオン分析 基板表面に付着したイオン成分の評価について、より詳しい情報はこちら

精密洗浄ソリューション

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