表面分析

固体試料表面にイオンビームを照射し，スパッタリングにより生じた試料構成元素の二次イオンを検出する手法です。半導体中の浅い領域のドーパントの分析や薄膜多層膜の分析など、フローティング銃導入により高精度な深さ方向元素分布の測定が可能です。

試料にＸ線を照射し，発生する光電子を検出する手法です。基板表面の酸化状態、汚染などの情報を得ることが出来ます。

検出深さ10 nm以下、面内数10 nm程度の微小部の表面組成を観察する手法となります。試料に電子線を照射し，発生するオージェ電子を検出します。オージェ電子のエネルギーから構成元素種が，強度から濃度が分かります。