特征

菲涅耳區域平板SEM圖像
在X射線區域,材料的折射率約等於1,與可見光不同,無法用凸透鏡將光聚焦,因此使用菲涅爾波帶片(FZP)作為聚焦元素。
NTT-AT的FZP採用垂直度高的Ta圖案作為吸收材料,使用耐X射線照射的SiC薄膜作為保持材料,廣泛應用於同步加速器輻射設施。
NTT-AT的FZP採用垂直度高的Ta圖案作為吸收材料,使用耐X射線照射的SiC薄膜作為保持材料,廣泛應用於同步加速器輻射設施。
生產實例

極微細FZP:直徑250μm, Ta膜厚200 nm,最外周區寬50 nm, SiC膜厚2.0μm


高長FZP:直徑100μm, Ta膜厚2μm,最外周區寬200 nm, SiN膜厚2.0μm
代表性規格
根據您要求的能量、焦距、解析度等進行設計。
代表性規格 | |
---|---|
最小最大區域寬度和縱橫比 | 50 nm (長寬比4) ,200 nm (長寬比10) |
最大直徑 | 2 mm |
薄膜材料 | SiC或SiN, 0.2μm -2μm |
吸收性材料 | Ta, 0.1 µm - 2.0 µm |
硅框輪廓尺寸 | 10毫米x 10毫米x 1毫米厚 |

(a)X射線FZP部 (b) SiC或SiN膜 (c) Si基板 (d) Ta吸收體
可選零件

中心光束停止器
吸收體:Au,30 µm 厚,膜:SiC
吸收體:Au,30 µm 厚,膜:SiC

針孔
材質:Pt,100 µm 厚,針孔直徑:50 um
材質:Pt,100 µm 厚,針孔直徑:50 um
請咨詢
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