X射線光柵

特征

NTT-AT用於X 射線Talbot 成像的相位光柵和吸收光柵基於高縱橫比Si 蝕刻技術和Au 電鍍技術製造，與傳統光刻膠光柵相比，具有足夠高的X 射線強度，實現了耐輻射性。 它還減少了由於碎片的產生而導致的測量環境的惡化。

• 位相格子:具有低粗糙度、高垂直性的Si結構體
• 吸收格子:在具有低粗糙度、高垂直性的Si構造中埋入的鍍Au吸收體

標準規格

	吸收晶格	相位柵
材料	吸收部分:Au,透過部分:Si	相位調制單元:Si
薄膜	Si,厚度50μm	Si,厚度50μm
俯仰/高度	3 μm / 10 μm	2 μm / 20 μm
最大區域	10 mm見方	40 mm見方

※產品可以定制。

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