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絶縁膜形成

半導体プロセスサービス

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プラズマCVD、スパッタ、電子ビーム(EB)蒸着による各種絶縁膜形成を承ります。

仕様

形成方式
対応可能絶縁膜
対応可能基板
対応可能サイズ
プラズマCVD SiNx、SiO2 GaAs、InP、Si石英、
サファイア、GaN、SiC
Φ2"~Φ4"、
不定形
スパッタ SiO2、TiO2、Al2O3、a-Si
EB蒸着 SiO2、TiO2、Al2O3

特徴

  • プラズマCVDによるSiO2膜・SiNx膜は200℃と300℃で成膜可能です。
  • 絶縁層としての成膜だけでなく、「高い制御性を持った蒸着技術によるAR膜形成」や「スパッタ技術を用いた多層構造によるHR膜形成」にも対応いたします。(ご所望の波長域で、低反射な膜を形成することが可能です。)

半導体レータの共振器端面の非対称化

InPモニタ基板上にAR膜、HR膜を成膜した時の反射率特性

AR膜反射率データ
AR膜反射率データ

 

HR膜反射率データ
HR膜反射率データ


 

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