研磨・劈開・ダイシング・ボンディング

ウエハ裏面研磨、劈開、ダイシング、Auワイヤボンディング等、プロセス後工程を承ります。

研磨

ウエハ表面（裏面）研磨・薄化の各種研磨を承ります。

対応可能基板	対応可能サイズ
GaAs、InP	Φ2"、Φ3"、不定形

ダイシング

InP、GaAs、Si、石英、サファイア基板を中心に、精密ダイヤモンドブレードと精密加工装置を用いたダイシングサービスを承ります。

対応可能基板	対応可能サイズ
GaAs、InP、Si、石英、サファイア、GaN、SiC	Φ2"、Φ3"、Φ6"、不定形

• ダイシング後の「チップの拾い出し作業」、「ダイシング用保護膜（レジスト等）の除去」、 「洗浄作業」もお受けいたします。

劈開

InP基板、GaAs基板に関しましては劈開によるデバイスのチップ化も承ります。ダイヤモンドペンシルによる手動劈開、 及びスクライブ装置とブレーキング装置による自動劈開が可能です。

マウント・ワイヤボンディング

電子デバイス、光デバイスチップのヘッダー等へのマウント、及びAuワイヤボンディングサービスを承ります。