ウエハ裏面研磨、劈開、ダイシング、Auワイヤボンディング等、プロセス後工程を承ります。
研磨
ウエハ表面(裏面)研磨・薄化の各種研磨を承ります。
対応可能基板
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対応可能サイズ
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GaAs、InP | Φ2"、Φ3"、不定形 |
ダイシング
InP、GaAs、Si、石英、サファイア基板を中心に、精密ダイヤモンドブレードと精密加工装置を用いたダイシングサービスを承ります。
対応可能基板
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対応可能サイズ
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GaAs、InP、Si、石英、サファイア、GaN、SiC | Φ2"、Φ3"、Φ6"、不定形 |
ダイシング例(Si基板)
- ダイシング後の「チップの拾い出し作業」、「ダイシング用保護膜(レジスト等)の除去」、 「洗浄作業」もお受けいたします。
劈開
InP基板、GaAs基板に関しましては劈開によるデバイスのチップ化も承ります。ダイヤモンドペンシルによる手動劈開、 及びスクライブ装置とブレーキング装置による自動劈開が可能です。
マウント・ワイヤボンディング
電子デバイス、光デバイスチップのヘッダー等へのマウント、及びAuワイヤボンディングサービスを承ります。

ウェッジボンダを用いたAuワイヤリング例

ボールボンダを用いたAuワイヤリング例