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絶縁膜形成

半導体プロセスサービス

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プラズマCVD、スパッタによる各種絶縁膜形成を承ります。

仕様

形成方式
対応可能絶縁膜
対応可能基板
対応可能サイズ
プラズマCVD SiNx、SiO2 GaAs、InP、Si石英、
サファイア、GaN、SiC
Φ2"~Φ4"、
不定形

形成方式「スパッタ」につきましては、薄膜形成・加工のページをご覧ください。

評価

触針段差計による膜厚評価、及びエリプソメータによる膜質・膜厚評価が可能です。

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