窒化物半導体エピタキシャルウェハ

地球環境にやさしいGaNパワーデバイスの実現に貢献します。 NTT-ATは窒化物半導体エピタキシャルウエハの製造技術により、省エネルギー化の早期実現に貢献します。

窒化物半導体エピタキシャルウエハに関する論文のご紹介です。