Nanoimprint-Form nach Maß

Nanoimprint-Formen-Mikrofabrikationstechnologie und Fertigungs-Know-how

■ Formmaterial

Materialien wie Quarz, Silizium, SiC und Ni können gemäß dem Nanoimprint des Kunden spezifiziert werden.

■ Vorzüglich

Von einem minimalen 20-nm-Muster bis zur μm-Größenordnung. Auch hohe Seitenverhältnisse sind möglich.

■ Muster

Wir können alles verarbeiten, von wiederholten Anordnungen einzelner Muster bis hin zu komplexen Mustern wie Schaltungsmustern.

■ Mehrstufiges Muster

Wir bieten auch mehrstufige Stufenmuster für Hologramme usw. an.

■ Dreidimensionale Form

Verschiedene Formen wie winzige Mikrolinsenarrays (MLA), Antireflexionskörper (Mottenaugenstrukturen) und umgekehrte quadratische Pyramidenmuster werden verarbeitet.

■ Hohe Formgenauigkeit

Auch die Bearbeitungsform wird als scharfe Kante gewertet. Wir unterstützen auch verjüngte und umgekehrt verjüngte Mikrostrukturen durch Seitenwandkontrolle. Bitte kontaktieren Sie uns.

Ablauf der Anfrage zur Herstellung von Nanoimprint-Formen

Sie können uns gerne kontaktieren

Bei Sonderformen ist eine vorherige Absprache sehr wichtig. Bitte kontaktieren Sie uns zunächst mit Ihren Wünschen und Vorstellungen. Auf ausführliche Beratungen und Fragen gehen wir sorgfältig ein.
 

Kundenspezifische Form Verarbeitungsbeispiel für feine Muster

Dies ist ein Beispiel für die Mikrofabrikation von Nanoimprint-Formen in verschiedenen Formen und Größen durch NTT-AT. Bitte kontaktieren Sie uns bezüglich Ihres gewünschten Musters, Substrattyps usw.

Ultrafeines Muster	Muster mit hohem Seitenverhältnis
36-nm-Pitch-Punkt	Seitenverhältnis 10
Substrat: Quarz, Silizium, SiO2/Si, Ni, SiC Minimaler Musterabstand: ca. 35 nm (minimaler Abstand variiert je nach Substrat und Muster.) Tiefe: ab 20nm Muster: L&S, Punkte, Löcher, Ringe	Substrat: Silizium Musterabstand: ab 50nm Tiefe: ab 100nm Muster: Linie, L&S

mehrstufiges Muster	V-Nut-Typ, Blaze-Typ-Muster
8-Level-Muster	V-Rille mit 1 μm Teilung
Substrat: Quarz, Silizium, SiO2/Si, Ni-Galvanoforming Mindestmuster: ab 250nm Anzahl der Ebenen: Bis zu 8 Ebenen Pegeltiefe: ab 50nm Gesamttiefe: bis zu 20 μm	Substrat: Silizium Musterabstand: ab 100nm Tiefe: ab 50nm

Konisches Muster (Mottenaugenstruktur)	Sphärisches Muster (Mikrolinse)
8-Level-Muster	1 μm, zack 0,3 μm
Substrat: Quarz, Ni galvanisch geformt Musterabstand: ab 200nm Tiefe: 100 bis 1000 nm Array: quadratisches Array, dreieckiges Array, zufälliges Array	Substrat: Quarz, Silizium, SiO 2 /Si, Ni galvanogeformt Musterabstand: 1 bis 250 nm Form: Kugelförmig Array: quadratisches Array, dreieckiges Array, zufälliges Array

viereckiges Pyramidenmuster	Fukahori-Muster
quadratisches Pyramidenmuster-Array	Zylindrisches Muster mit 40 μm Höhe
Substrat: Silizium Musterabstand: ab 500nm Tiefe: ab 300nm	Substrat: Quarz Tiefe: bis 100 μm