絶縁膜形成

プラズマCVD、スパッタによる各種絶縁膜形成を承ります。

仕様

形成方式	対応可能絶縁膜	対応可能基板	対応可能サイズ
プラズマCVD	SiNｘ、SiO2	GaAs、InP、Si、石英、 サファイア、GaN、SiC	Φ2"～Φ4"、 不定形

形成方式「スパッタ」につきましては、薄膜形成・加工のページをご覧ください。

評価

触針段差計による膜厚評価、及びエリプソメータによる膜質・膜厚評価が可能です。