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半導体プロセスサービス

半導体デバイス試作の問題解決をお客様とともに

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NTT-ATは半導体プロセス開発のアウトソーシング・パートナーとして、 半導体デバイスの研究開発を総合的に支援いたします。

半導体プロセスでお困りの方へ トータルプロセス・スポットプロセス

  • 研究・開発用微細加工の試作先をお探しの方
  • 少量生産の半導体プロセスの依頼をお望みの方
  • 手持ちの装置では対応できないプロセスでお悩みの方
  • 半導体の扱いやプロセスに慣れている人がいないので、支援をご希望の方

GaAsプロセス、InPプロセス、Siプロセスまで、何でもご相談ください。 プロ集団がお応えします。

トータルプロセスサービス(試作請負)

  • スポットプロセスを組合わせた各種デバイス作製
  • 半導体レーザ等の光デバイス、FET等の電子デバイス作製
  • GaAs、InP、Si、石英、サファイア、GaN上の各種デバイス作製

~試作例~ 『スタジアム型半導体レーザ』

~試作例~ 『スタジアム型半導体レーザ』
(国際電気通信基礎技術研究所様 岡山県立大学様 納品)

~試作例~ 『THz帯フォトミキサーデバイス素子』

~試作例~ 『THz帯フォトミキサーデバイス素子』 (東北大学様 納品)
Device structure&layout design were made by RIEC, Tohoku University.

トータルプロセスサービス例(配線電極形成)

トータルプロセスサービス例(配線電極形成)
 

スポットプロセスサービス(技術項目)

薄膜形成 メタル形成
抵抗加熱蒸着、電子ビーム(EB)蒸着による各種メタル形成を承ります
絶縁膜形成
プラズマCVD、スパッタによる各種絶縁膜形成を承ります。
微細加工 パターン形成
EB描画、ステッパ露光、コンタクト露光によるパターニングを承ります。
エッチング(DRY/WET)
フッ素系、その他ハロゲン系の各ガス種によるドライエッチング、硫酸系、塩酸系、HF系エッチャントによるウエットエッチングを承ります。
後工程 研磨・劈開・ダイシング
ウエハ裏面研磨、劈開、ダイシング等、プロセス後工程を承ります。

試作請負における問合せから納品までの流れ

試作請負における問い合わせから納品までの流れ

 

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