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パターン形成

半導体プロセスサービス

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EB描画、ステッパ露光、コンタクト露光によるパターニングを承ります。
形成したレジストパターンに対する エッチングメタル形成も承ります。

レジスト塗布/現像

レジスト塗布
オートコータによるオート塗布
スピナによるマニュアル塗布
現像 オートデベロッパによるオート現像
浸漬法によるマニュアル現像(Dip)
レジスト除去 酸素プラズマ・アッシャ(レジスト灰化処理)
レジスト剥離液(リムーバ)による除去
  • レジストの種類、膜厚、ベーク条件は、パターン形成法やエッチング法により異なりますので、ご相談下さい。
  • レジスト除去あるいはその後の洗浄についても、各種ご要望にお応えします。

露光

形成方式
対応可能最小パターン
対応可能基板
対応可能サイズ
EB描画 70nmL&S、50nmSpace等 GaAs、InP、Si、石英、サファイア、GaN、SiC Φ2"~Φ4"、Φ6"、不定形
ステッパ露光 0.5μm Φ2"、Φ3"
コンタクト露光 2.0μm Φ2"、Φ3"、不定形

特長

  • CADデータ(レイアウトパターン)の作成やレチクル作製も承ります。
  • EB描画は、CADデータから直接レジストパターンの形成が可能です。(レチクル作製不要)
  • EB描画は、高加速電圧で精度の高い微細パターンを形成できます。
  • 様々なパターン評価をお選びいただけます。「光学顕微鏡観察」、「測長SEM観察」、「断面SEM観察」
  • 前処理や後処理(スカム処理、表面クリーニング等)も承ります。
  • リフトオフを目的とした「ニ層レジスト法」によるパターン形成にも対応いたします。

パターン形成例

EB描画

高アスペクト比70nmL&Sパターン
高アスペクト比70nmL&Sパターン
200nmドットパターン
200nmドットパターン

ステッパ露光

500nmL&Sパターン
500nmL&Sパターン
曲導波路パターン
曲導波路パターン

 

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