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気相分解法(VPD)-誘導結合プラズマ質量分析(ICP-MS)

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シリコンウエハ表面の酸化膜を溶解させて(VPD)回収した金属元素を、ICP-MSによって高感度に定量できます。
300mmシリコンウエハにおける定量下限値は1 ~3×108atoms/cm2レベルです。

汚染元素の発生源と影響例
汚染元素
発生源
影響例
アルカリ金属(Na, K)
アルカリ土類金属(Mg, Ca)
人体
薬液
部材
原料からの発生
コンクリート
外気
など
ゲート絶縁膜耐圧不良
しきい値電圧変動
MOSトランジスタ不安定性
結晶欠陥
など
重金属(Fe, Co, Ni, Cu, Zn,
Mo, W など)
ステンレス系部材
ロボット
チャンバー
帯電防止材料
など
ゲート絶縁膜耐圧不良
PN接合リーク不良
ライフタイム劣化
ディープレベル形成
など
ドーパント(B, P など) ULPAやHEPAフィルター
(ガラス繊維)
建築材料(難燃剤)
プロセス装置
薬品
など
MOSトランジスタのしきい値電圧変動
P反転不良
N反転不良
など

気相分解法(VPD)

VPD(Vapor Phase Decomposition)とは、シリコンウエハ表面上の自然酸化膜や熱酸化膜をテフロン製の密閉容器内でフッ化水素酸の蒸気で溶解させた後、希フッ化水素酸や酸化剤を添加した溶液などでシリコンウエハ表面上を走査し、金属元素を回収する化学的前処理法です。
弊社が所有するVPD装置は、4インチから12インチまでの大きさのシリコンウエハを扱えます。自動回収ですので、再汚染を避けて任意の測定箇所を選択することができます。
ウエハ表面あるいは裏面の全面回収、もしくは、任意の局所表面箇所やウエハ端面(エッジ部)、ベベル部、ノッチ部など、測定ご希望の範囲をお知らせ下さい。

特徴

  • シリコンウエハ表面の汚染分析ができます。
  • 108atoms/cm2オーダーの汚染から検出できます(300mmウエハの場合)。
  • 4インチ~12インチウエハまで対応できます。
  • シリコンウエハ表面全面、あるいは裏面全面に加え、任意の局所表面箇所やウエハエッジ部、ベベル部、ノッチ部を選択できます。

 

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