ホーム > 材料分析サービス > 形態観察 > 透過電子顕微鏡 TEM > 電子回折による結晶性評価

電子回折による結晶性評価

営業部門 TEL 046-270-2075 (受付9:00~17:00)土日祝日年末年始を除く平日
お問い合わせフォーム
透過電子顕微鏡では電子回折図形を得ることができ、結晶性の評価ができます。下の写真はXe照射によってSiO2上非結晶質Siをエピタキシャル成長させた試料です。Si基盤上に直接成長させた部分(写真a)では、完全な単結晶を示しています。SiO2層端部の成長層(写真b)では{111}方位に3倍周期の過剰斑点が観察され、高密度の積層欠陥の発生を示しています。また、SiO2層端部より500nm以上離れた領域(写真c)では、完全なアモルファスを示しています。

 

Xe照射によってSiO2上非結晶質Siをエピタキシャル成長させた試料

c b a
c b a



データ提供:NTT

 

製品一覧

閉じる

サービス一覧

材料分析サービス

  • 形態観察
    デバイスや材料の形態・構造、および結晶構造解析を行っております
  • 試験特性評価
    光通信材料の光学特性や、タッチパネル、ハンディ端末の指紋汚れの定量評価等

材料分析サービス

閉じる

課題解決のご提案一覧

閉じる

カタログ一覧

閉じる